Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники
автореферат дис. ... доктора технических наук : 05.27.06
автореферат дис. ... доктора технических наук : 05.27.06
Москва, 2006
Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники
автореферат дис. ... доктора технических наук : 05.27.06
Москва, 2006
Библиографическое описание
Скопировать
Мармалюк, Александр Анатольевич. Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники : автореферат дис. ... доктора технических наук : 05.27.06 / Моск. гос. акад. тонкой хим. технологии им. М.В. Ломоносова. — Москва, 2006. — 46 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_003285603
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники : автореферат дис. доктора технических наук : 05.27.06
Место издания
Москва
Год издания
2006
Объем
46 с.
Ответственность
Моск. гос. акад. тонкой хим. технологии им. М.В. Ломоносова
ББК
З844.13-060.7,0
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
02082nam a2200313 i 4500
001
003285603
003
RuMoRGB
005
20070921120000.0
008
061212s2006 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: 06-23236А
$b: RuMoRKP
$a: 06-23236А
$b: RuMoRKP
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0734741
$a: (RuMoRGB)DIS-0734741
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.06
$2: nsnr
$a: 05.27.06
$2: nsnr
084
##
$a: З844.13-060.7,0
$2: rubbk
$a: З844.13-060.7,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Мармалюк, Александр Анатольевич
$a: Мармалюк, Александр Анатольевич
245
##
$a: Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники :
$b: автореферат дис. ... доктора технических наук : 05.27.06
$c: Моск. гос. акад. тонкой хим. технологии им. М.В. Ломоносова
$a: Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники :
$b: автореферат дис. ... доктора технических наук : 05.27.06
$c: Моск. гос. акад. тонкой хим. технологии им. М.В. Ломоносова
260
##
$a: Москва
$c: 2006
$a: Москва
$c: 2006
300
##
$a: 46 с.
$a: 46 с.
650
#1
$a: Радиоэлектронная аппаратура -- Микрорадиоэлектронная аппаратура -- Пленочные схемы и приборы -- Нанесение покрытий
$2: rubbk
$a: Радиоэлектронная аппаратура -- Микрорадиоэлектронная аппаратура -- Пленочные схемы и приборы -- Нанесение покрытий
$2: rubbk
650
#1
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
720
1#
$a: Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
$a: Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
787
11
$w: 003313658
$i: Диссертация
$w: 003313658
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 06-11/3013-1
$x: 90
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 06-11/3013-1
$x: 90
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: T026
$j: 9 06-11/3014-X
$x: 82
$a: РГБ
$b: FB
$c: T026
$j: 9 06-11/3014-X
$x: 82
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01003000000/rsl01003285000/rsl01003285603/rsl01003285603.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01003000000/rsl01003285000/rsl01003285603/rsl01003285603.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники : автореферат дис. доктора технических наук : 05.27.06 » , автор — Мармалюк А.А.. Документ был опубликован в 2006 году. Место издания — Москва. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники : автореферат дис. доктора технических наук : 05.27.06 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.