Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах : : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах : : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Томск
Место издания
2007
Год издания
Описание документа
Код документа в НЭБ
000199_000009_003369351
Каталог
Автор
Новиков В.А.
Заглавие
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах : : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Место издания
Томск
Год издания
2007
Объем
135 с.
Ответственность
Новиков Владимир Александрович; [Место защиты: Том. политехн. ун-т]
Библиотека
Портал НЭБ предлагает вам читать онлайн в Электронном Читальном Зале (ЭЧЗ) диссертацию (автореферат) на тему «Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах : : диссертация .. кандидата физико-математических наук : 01.04.10» , автора Новиков В.А. Документ был издан в 2007 году. Содержит 135 с.
Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.
017
##
$a: д27897-07
$b: RuMoRGB
$a: д27897-07
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
$a: 01.04.10
$2: nsnr
100
1#
$a: Новиков, Владимир Александрович
$a: Новиков, Владимир Александрович
245
##
$a: Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
$c: Новиков Владимир Александрович; [Место защиты: Том. политехн. ун-т]
$a: Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
$c: Новиков Владимир Александрович; [Место защиты: Том. политехн. ун-т]
260
##
$a: Томск
$c: 2007
$a: Томск
$c: 2007
300
##
$a: 135 с.
$b: ил.
$a: 135 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 120-135
$a: Библиогр.: с. 120-135
650
#1
$a: Физика полупроводников
$2: nsnr
$a: Физика полупроводников
$2: nsnr
720
1#
$a: Томский политехнический университет
$a: Томский политехнический университет
787
11
$w: 003161649
$i: Автореферат
$w: 003161649
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$j: 61 07-1/1481
$x: 81
$a: РГБ
$b: OD
$j: 61 07-1/1481
$x: 81
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01003000000/rsl01003369000/rsl01003369351/rsl01003369351.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01003000000/rsl01003369000/rsl01003369351/rsl01003369351.pdf
$y: Читать
977
##
$a: dllocal
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
$a: dllocal
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
979
##
$a: disser
$b: Каталог диссертаций
$c: rgb
$a: disser
$b: Каталог диссертаций
$c: rgb
979
##
$a: dllocal
$a: dllocal
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 003161649
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 003161649
$m: Диссертация
$n: Автореферат