Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.11.14
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.11.14
Пенза, 2009
Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.11.14
Пенза, 2009
Библиографическое описание
Скопировать
Аношкин, Юрий Владимирович. Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.11.14 / Аношкин Юрий Владимирович; [Место защиты: Пенз. гос. ун-т]. — Пенза, 2009. — 24 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_003484366
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.11.14
Место издания
Пенза
Год издания
2009
Объем
24 с.
Ответственность
Аношкин Юрий Владимирович; [Место защиты: Пенз. гос. ун-т]
ББК
З844.1-060.5-5-05,0
Язык
Русский
Еще
Ключевые слова
резистивные структуры
Библиотека
LDR
01769nam a2200301 i 4500
001
003484366
003
RuMoRGB
005
20100923150354.0
008
100111s2009 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: 10-7591А
$b: RuMoRKP
$a: 10-7591А
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.11.14
$2: nsnr
$a: 05.11.14
$2: nsnr
084
##
$a: З844.1-060.5-5-05,0
$2: rubbk
$a: З844.1-060.5-5-05,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Аношкин, Юрий Владимирович
$a: Аношкин, Юрий Владимирович
245
##
$a: Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.11.14
$c: Аношкин Юрий Владимирович; [Место защиты: Пенз. гос. ун-т]
$a: Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.11.14
$c: Аношкин Юрий Владимирович; [Место защиты: Пенз. гос. ун-т]
260
##
$a: Пенза
$c: 2009
$a: Пенза
$c: 2009
300
##
$a: 24 с.
$a: 24 с.
650
#1
$a: Технология приборостроения
$2: nsnr
$a: Технология приборостроения
$2: nsnr
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника -- Технология производства -- Технология печатных схем микроэлектроники -- Автоматизация
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника -- Технология производства -- Технология печатных схем микроэлектроники -- Автоматизация
$2: rubbk
653
##
$a: резистивные структуры
$a: резистивные структуры
720
1#
$a: Пензенский государственный университет
$a: Пензенский государственный университет
787
11
$w: 004627105
$i: Диссертация
$w: 004627105
$i: Диссертация
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 10-2/3337
$x: 90
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 10-2/3337
$x: 90
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01003000000/rsl01003484000/rsl01003484366/rsl01003484366.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01003000000/rsl01003484000/rsl01003484366/rsl01003484366.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.11.14 » , автор — Аношкин Ю.В.. Документ был опубликован в 2009 году. Место издания — Пенза. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.11.14 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.