Версия для слепых
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 05.27.01
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01
Саратов, 2010

Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01

Саратов, 2010

Библиографическое описание

Скопировать
Сергеев, Сергей Алексеевич. Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / Сергеев Сергей Алексеевич; [Место защиты: Сарат. гос. ун-т им. Н.Г. Чернышевского]. — Саратов, 2010. — 19 с..

Детальная информация

Код документа в НЭБ
000199_000009_004608103
Автор(ы)
Заглавие
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 05.27.01
Место издания
Саратов
Год издания
2010
Объем
19 с.
Ответственность
Сергеев Сергей Алексеевич; [Место защиты: Сарат. гос. ун-т им. Н.Г. Чернышевского]
ББК
В379.247-6,03
Язык
Русский

Другие книги автора

Другие документы из источника "Российская государственная библиотека (РГБ)" — Авторефераты диссертаций

Мамедова Севиль Вахид кызы
ул. К. Маркса, 2026
Российская государственная библиотека (РГБ)
Доступ: свободный
Айляров М.А.
ул.Ватутина, 2026
Российская государственная библиотека (РГБ)
Доступ: свободный
Посмотреть все документы источника "Российская государственная библиотека (РГБ)"

MARC-запись (MARC21)

LDR
01975nam a2200277 i 4500
001
004608103
003
RuMoRGB
005
20110126105649.0
008
100921s2010 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: 10-20261А
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.01
$2: nsnr
084
##
$a: В379.247-6,03
$2: rubbk
100
1#
$a: Сергеев, Сергей Алексеевич
245
##
$a: Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01
$c: Сергеев Сергей Алексеевич; [Место защиты: Сарат. гос. ун-т им. Н.Г. Чернышевского]
260
##
$a: Саратов
$c: 2010
300
##
$a: 19 с.
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела -- Физика полупроводников -- Оптические свойства полупроводников -- Спектроскопия полупроводников -- Спектроскопия тонких пленок полупроводников
$2: rubbk
720
1#
$a: Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
787
11
$w: 004800723
$i: Диссертация
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 10-5/3182
$x: 90
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01004000000/rsl01004608000/rsl01004608103/rsl01004608103.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 05.27.01 » , автор — Сергеев С.А.. Документ был опубликован в 2010 году. Место издания — Саратов. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 05.27.01 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .