В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
LDR
01913nam a2200301 i 4500
008
100921s2010 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: д18303-10
$b: RuMoRGB
017
##
$a: 04201061159
$b: RuMoVNTIC
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
072
#1
$a: 05.27.01
$2: nsnr
100
1#
$a: Сергеев, Сергей Алексеевич
245
##
$a: Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01
$c: Сергеев Сергей Алексеевич; [Место защиты: Сарат. гос. ун-т им. Н.Г. Чернышевского]
504
##
$a: Библиогр.: с. 158-171
650
#1
$a: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$2: nsnr
720
1#
$a: Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
787
11
$w: 004608103
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL02
$j: 61 10-1/1024
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01004000000/rsl01004800000/rsl01004800723/rsl01004800723.pdf
$y: Читать
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 004608103
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : диссертация . кандидата физико-математических наук : 05.27.01 » , автор — Сергеев С.А.. Документ был опубликован в 2010 году. Место издания — Саратов. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : диссертация . кандидата физико-математических наук : 05.27.01 » в удобной системе просмотра документов.