LDR
01955nam a2200289 i 4500
008
120116s2011 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: 11-24639А
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
072
#1
$a: 05.13.01
$2: nsnr
084
##
$a: В377.1с3,03
$2: rubbk
100
1#
$a: Панина, Татьяна Александровна
245
##
$a: Математическое моделирование стохастической динамики процессов деканалирования и реканалирования быстрых заряженных частиц в кристаллах :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.13.01
$c: Панина Татьяна Александровна; [Место защиты: Сургут. гос. ун-т]
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Электрические свойства твердых тел. Электронные и ионные явления в твердых телах -- Математическое моделирование
$2: rubbk
653
##
$a: каналирование быстрых заряженных частиц в кристаллах
720
1#
$a: Сургутский государственный университет
787
11
$w: 005374101
$i: Диссертация
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 11-6/2125
$x: 90
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01005000000/rsl01005005000/rsl01005005097/rsl01005005097.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Математическое моделирование стохастической динамики процессов деканалирования и реканалирования быстрых заряженных частиц в кристаллах : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 05.13.01 » , автор — Панина Т.А.. Документ был опубликован в 2011 году. Место издания — Сургут. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Математическое моделирование стохастической динамики процессов деканалирования и реканалирования быстрых заряженных частиц в кристаллах : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 05.13.01 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.