Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.11.07
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.11.07
Москва, 2013
Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.11.07
Москва, 2013
Библиографическое описание
Скопировать
Мазалов, Александр Владимирович. Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.11.07 / Мазалов Александр Владимирович; [Место защиты: Науч.-исслед. ин-т "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха]. — Москва, 2013. — 22 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_005540502
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.11.07
Место издания
Москва
Год издания
2013
Объем
22 с.
Ответственность
Мазалов Александр Владимирович; [Место защиты: Науч.-исслед. ин-т "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха]
ББК
З854,0
Язык
Русский
Еще
Ключевые слова
фотоэлектроника УФ-диапазона
Библиотека
LDR
01676nam a2200289 i 4500
001
005540502
003
RuMoRGB
005
20140528144714.0
008
131217s2013 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: 13-18933А
$b: RuMoRKP
$a: 13-18933А
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.11.07
$2: nsnr
$a: 05.11.07
$2: nsnr
084
##
$a: З854,0
$2: rubbk
$a: З854,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Мазалов, Александр Владимирович
$a: Мазалов, Александр Владимирович
245
##
$a: Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.11.07
$c: Мазалов Александр Владимирович; [Место защиты: Науч.-исслед. ин-т "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха]
$a: Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.11.07
$c: Мазалов Александр Владимирович; [Место защиты: Науч.-исслед. ин-т "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха]
260
##
$a: Москва
$c: 2013
$a: Москва
$c: 2013
300
##
$a: 22 с.
$a: 22 с.
650
#1
$a: Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы
$2: nsnr
$a: Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы
$2: nsnr
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Электроника -- Фотоэлектроника -- Фотоэлектрические приборы. Фотоэлементы
$a: Радиоэлектроника -- Электроника -- Фотоэлектроника -- Фотоэлектрические приборы. Фотоэлементы
653
##
$a: фотоэлектроника УФ-диапазона
$a: фотоэлектроника УФ-диапазона
787
11
$w: 006722001
$i: Диссертация
$w: 006722001
$i: Диссертация
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 13-5/1670
$x: 90
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 13-5/1670
$x: 90
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01005000000/rsl01005540000/rsl01005540502/rsl01005540502.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01005000000/rsl01005540000/rsl01005540502/rsl01005540502.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.11.07 » , автор — Мазалов А.В.. Документ был опубликован в 2013 году. Место издания — Москва. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.11.07 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.