Гетероэпитаксия упругонапряженных, упругокомпенсированных и метаморфных слоев твердых растворов A3B5 и A3B5-N на поверхности GaAs, GaP и Si
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.01
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.01
Санкт-Петербург, 2015
Гетероэпитаксия упругонапряженных, упругокомпенсированных и метаморфных слоев твердых растворов A3B5 и A3B5-N на поверхности GaAs, GaP и Si
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.01
Санкт-Петербург, 2015
Библиографическое описание
Скопировать
Соболев, Максим Сергеевич. Гетероэпитаксия упругонапряженных, упругокомпенсированных и метаморфных слоев твердых растворов A3B5 и A3B5-N на поверхности GaAs, GaP и Si : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.01 / Соболев Максим Сергеевич; [Место защиты: Ин-т аналит. приборостроения РАН]. — Санкт-Петербург, 2015. — 19 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_005565761
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Гетероэпитаксия упругонапряженных, упругокомпенсированных и метаморфных слоев твердых растворов A3B5 и A3B5-N на поверхности GaAs, GaP и Si : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.01
Место издания
Санкт-Петербург
Год издания
2015
Объем
19 с.
Ответственность
Соболев Максим Сергеевич; [Место защиты: Ин-т аналит. приборостроения РАН]
ББК
В375.14,0, З996-52,0
Язык
Русский
Еще
Ключевые слова
гетероэпитаксия твердых растворов, полупроводниковая нано- оптоэлектроника
Библиотека
LDR
02527nam a2200337 i 4500
001
005565761
003
RuMoRGB
005
20160428095539.0
008
151127s2015 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: 15-13558А
$b: RuMoRKP
$a: 15-13558А
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.01
$2: nsnr
$a: 01.04.01
$2: nsnr
084
##
$a: В375.14,0
$2: rubbk
$a: В375.14,0
$2: rubbk
084
##
$a: З996-52,0
$2: rubbk
$a: З996-52,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Соболев, Максим Сергеевич
$a: Соболев, Максим Сергеевич
245
##
$a: Гетероэпитаксия упругонапряженных, упругокомпенсированных и метаморфных слоев твердых растворов A3B5 и A3B5-N на поверхности GaAs, GaP и Si :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.01
$c: Соболев Максим Сергеевич; [Место защиты: Ин-т аналит. приборостроения РАН]
$a: Гетероэпитаксия упругонапряженных, упругокомпенсированных и метаморфных слоев твердых растворов A3B5 и A3B5-N на поверхности GaAs, GaP и Si :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.01
$c: Соболев Максим Сергеевич; [Место защиты: Ин-т аналит. приборостроения РАН]
260
##
$a: Санкт-Петербург
$c: 2015
$a: Санкт-Петербург
$c: 2015
300
##
$a: 19 с.
$a: 19 с.
650
#1
$a: Приборы и методы экспериментальной физики
$2: nsnr
$a: Приборы и методы экспериментальной физики
$2: nsnr
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Термодинамика твердых тел. Тепловые свойства твердых тел. Кинетические явления (явления переноса) в твердых телах -- Фазовые равновесия. Фазовые превращения -- Отвердевание. Кристаллизиция. Рост кристаллов
$2: rubbk
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Термодинамика твердых тел. Тепловые свойства твердых тел. Кинетические явления (явления переноса) в твердых телах -- Фазовые равновесия. Фазовые превращения -- Отвердевание. Кристаллизиция. Рост кристаллов
$2: rubbk
650
#1
$a: Инфракрасная техника -- Аппаратура -- Приемники инфракрасных излучений
$2: rubbk
$a: Инфракрасная техника -- Аппаратура -- Приемники инфракрасных излучений
$2: rubbk
653
##
$a: гетероэпитаксия твердых растворов
$a: гетероэпитаксия твердых растворов
653
##
$a: полупроводниковая нано- оптоэлектроника
$a: полупроводниковая нано- оптоэлектроника
720
1#
$a: Институт аналитического приборостроения Российской академии наук
$a: Институт аналитического приборостроения Российской академии наук
787
11
$w: 008130080
$i: Диссертация
$w: 008130080
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 15-1/661
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 15-1/661
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01005000000/rsl01005565000/rsl01005565761/rsl01005565761.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01005000000/rsl01005565000/rsl01005565761/rsl01005565761.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Гетероэпитаксия упругонапряженных, упругокомпенсированных и метаморфных слоев твердых растворов A3B5 и A3B5-N на поверхности GaAs, GaP и Si : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.01 » , автор — Соболев М.С.. Документ был опубликован в 2015 году. Место издания — Санкт-Петербург. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Гетероэпитаксия упругонапряженных, упругокомпенсированных и метаморфных слоев твердых растворов A3B5 и A3B5-N на поверхности GaAs, GaP и Si : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.01 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.