Ионно-лучевое осаждение наноразмерных структур GaInPAs-GaAs : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.06
Новочеркасск, 2015
Ионно-лучевое осаждение наноразмерных структур GaInPAs-GaAs : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.06
Новочеркасск, 2015
Библиографическое описание
Гусев, Дмитрий Александрович. Ионно-лучевое осаждение наноразмерных структур GaInPAs-GaAs : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Гусев Дмитрий Александрович; [Место защиты: Юж.-Рос. гос. политехн. ун-т им. М.И. Платова]. — Новочеркасск, 2015. — 19 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_005566016
Каталог
Автор
Заглавие
Ионно-лучевое осаждение наноразмерных структур GaInPAs-GaAs : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.06
Место издания
Новочеркасск
Год издания
2015
Объем
19 с.
Ответственность
Гусев Дмитрий Александрович; [Место защиты: Юж.-Рос. гос. политехн. ун-т им. М.И. Платова]
ББК
З843.324.08-1с3,0
Библиотека
Портал НЭБ предлагает вам скачать или читать онлайн диссертацию (автореферат) на тему «Ионно-лучевое осаждение наноразмерных структур GaInPAs-GaAs : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.06» ББК:З843.324.08-1с3,0, автора Гусев Д.А. Документ был издан в 2015 году. Содержит 19 с.
Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.
LDR
01800nam a2200277 i 4500
001
005566016
003
RuMoRGB
005
20160607142420.0
008
151202s2015 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: 15-13982А
$b: RuMoRKP
$a: 15-13982А
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.06
$2: nsnr
$a: 05.27.06
$2: nsnr
084
##
$a: З843.324.08-1с3,0
$2: rubbk
$a: З843.324.08-1с3,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Гусев, Дмитрий Александрович
$a: Гусев, Дмитрий Александрович
245
##
$a: Ионно-лучевое осаждение наноразмерных структур GaInPAs-GaAs :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
$c: Гусев Дмитрий Александрович; [Место защиты: Юж.-Рос. гос. политехн. ун-т им. М.И. Платова]
$a: Ионно-лучевое осаждение наноразмерных структур GaInPAs-GaAs :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
$c: Гусев Дмитрий Александрович; [Место защиты: Юж.-Рос. гос. политехн. ун-т им. М.И. Платова]
260
##
$a: Новочеркасск
$c: 2015
$a: Новочеркасск
$c: 2015
300
##
$a: 19 с.
$a: 19 с.
650
#1
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиотехнические материалы и изделия -- Полупроводниковые материалы -- Соединения типа AIIIBV -- Получение -- Физические методы исследований
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиотехнические материалы и изделия -- Полупроводниковые материалы -- Соединения типа AIIIBV -- Получение -- Физические методы исследований
$2: rubbk
787
11
$w: 008137461
$i: Диссертация
$w: 008137461
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$j: 9 15-5/1782
$x: 81
$a: РГБ
$b: OD
$j: 9 15-5/1782
$x: 81
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01005000000/rsl01005566000/rsl01005566016/rsl01005566016.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01005000000/rsl01005566000/rsl01005566016/rsl01005566016.pdf
$y: Читать