LDR
01071nam a22002292i 4500
008
121025s1968 ru ||||| |||||||| ||rus d
017
##
$a: 68-54996
$b: RuMoRKP
035
##
$a: (RuMoELAR)1946-68-531877
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: ELAR
$e: rcr
245
##
$a: Фотогальванический эффект и электролюминесценция на p-n переходах в кристаллах CdTe
$h: [Текст] :
$b: Автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. (049)
$c: Ленингр. гос. ун-т им. А. А. Жданова
260
##
$a: Ленинград
$b: [б. и.]
$c: 1968
787
11
$w: 010299268
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13S
$j: Др 166/1845
$x: 90
852
1#
$a: РГБ
$b: FBKHM
$c: HMK
$j: Др 166/1846
$x: 93
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Фотогальванический эффект и электролюминесценция на p-n переходах в кристаллах CdTe : Автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. (049) » , автор — Наумов Г. П.. Документ был опубликован в 1968 году. Место издания — Ленинград. Издательство — б. и.. Информация о документе предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5.