Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs
диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01
диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01
Великий Новгород, 2013
Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs
диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01
Великий Новгород, 2013
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Библиографическое описание
Скопировать
Козловский, Эдуард Юрьевич. Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Козловский Эдуард Юрьевич; [Место защиты: С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т (ЛЭТИ)]. — Великий Новгород, 2013. — 167 с. : ил..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_006744828
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.01
Место издания
Великий Новгород
Год издания
2013
Объем
167 с.
Ответственность
Козловский Эдуард Юрьевич; [Место защиты: С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т (ЛЭТИ)]
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
01602nam a2200289 i 4500
001
006744828
003
RuMoRGB
005
20140225141611.0
008
131122s2013 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: д3611-14
$b: RuMoRGB
$a: д3611-14
$b: RuMoRGB
017
##
$a: 04201451306
$b: RuMoVNTIC
$a: 04201451306
$b: RuMoVNTIC
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.01
$2: nsnr
$a: 05.27.01
$2: nsnr
100
1#
$a: Козловский, Эдуард Юрьевич
$a: Козловский, Эдуард Юрьевич
245
##
$a: Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01
$c: Козловский Эдуард Юрьевич; [Место защиты: С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т (ЛЭТИ)]
$a: Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01
$c: Козловский Эдуард Юрьевич; [Место защиты: С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т (ЛЭТИ)]
260
##
$a: Великий Новгород
$c: 2013
$a: Великий Новгород
$c: 2013
300
##
$a: 167 с.
$b: ил.
$a: 167 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 155-167
$a: Библиогр.: с. 155-167
650
#1
$a: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$2: nsnr
$a: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$2: nsnr
787
11
$w: 005537919
$i: Автореферат
$w: 005537919
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL01
$j: 61 14-5/906
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL01
$j: 61 14-5/906
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01006000000/rsl01006744000/rsl01006744828/rsl01006744828.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01006000000/rsl01006744000/rsl01006744828/rsl01006744828.pdf
$y: Читать
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 005537919
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 005537919
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.01 » , автор — Козловский Э.Ю.. Документ был опубликован в 2013 году. Место издания — Великий Новгород. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.01 » в удобной системе просмотра документов.