Версия для слепых
Разработка фоточувствительного тонкопленочного транзистора на основе рекристаллизованных слоев селенида кадмия и исследование его параметров Автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата технических наук. (05.298)
Разработка фоточувствительного тонкопленочного транзистора на основе рекристаллизованных слоев селенида кадмия и исследование его параметров Автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата технических наук. (05.298)

Разработка фоточувствительного тонкопленочного транзистора на основе рекристаллизованных слоев селенида кадмия и исследование его параметров Автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата технических наук. (05.298)

Москва
Место издания
Издательство
Год издания

Описание документа

Код документа в НЭБ
000199_000009_007384127
Автор
Мухин Юрий Анатольевич
Заглавие
Разработка фоточувствительного тонкопленочного транзистора на основе рекристаллизованных слоев селенида кадмия и исследование его параметров Автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата технических наук. (05.298)
Место издания
Москва
Издательство
б. и.
Год издания
1972
Ответственность
Моск. энергет. ин-т
Язык
Русский
Ключевые слова
Мухин
Общее примечание
Для служебного пользования

MARC-запись (MARC21)

017
##
$a: 72-85523
035
##
$a: (RuMoELAR)1969-75-20584788
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: ELAR
$e: rcr
041
##
$a: rus
044
##
$a: ru
100
1#
$a: Мухин, Юрий Анатольевич
245
##
$a: Разработка фоточувствительного тонкопленочного транзистора на основе рекристаллизованных слоев селенида кадмия и исследование его параметров
$h: [Текст] :
$b: Автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата технических наук. (05.298)
$c: Моск. энергет. ин-т
260
##
$a: Москва
$b: [б. и.]
$c: 1972
300
##
$a: 19 с.
500
##
$a: Для служебного пользования
$5: RuMoRGB
852
1#
$a: РГБ
$b: DSP
$j: Др 5255
$x: 80
979
##
$a: autoref
$b: Каталог авторефератов диссертаций
$c: rgb
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .