Разработка фоточувствительного тонкопленочного транзистора на основе рекристаллизованных слоев селенида кадмия и исследование его параметров Автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата технических наук. (05.298)
Разработка фоточувствительного тонкопленочного транзистора на основе рекристаллизованных слоев селенида кадмия и исследование его параметров Автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата технических наук. (05.298)
Разработка фоточувствительного тонкопленочного транзистора на основе рекристаллизованных слоев селенида кадмия и исследование его параметров Автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата технических наук. (05.298)
## $a: Разработка фоточувствительного тонкопленочного транзистора на основе рекристаллизованных слоев селенида кадмия и исследование его параметров $h: [Текст] : $b: Автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата технических наук. (05.298) $c: Моск. энергет. ин-т