Морфология и структура поверхности на начальных стадиях роста пленок GeSi и GeSiSn на Si(100) : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.07
Новосибирск, 2014
Морфология и структура поверхности на начальных стадиях роста пленок GeSi и GeSiSn на Si(100) : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.07
Новосибирск, 2014
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Библиографическое описание
Скопировать
Тимофеев, Вячеслав Алексеевич. Морфология и структура поверхности на начальных стадиях роста пленок GeSi и GeSiSn на Si(100) : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Тимофеев Вячеслав Алексеевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН]. — Новосибирск, 2014. — 171 с. : ил..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_007522981
Автор(ы)
Заглавие
Морфология и структура поверхности на начальных стадиях роста пленок GeSi и GeSiSn на Si(100) : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.07
Место издания
Новосибирск
Год издания
2014
Объем
171 с.
Ответственность
Тимофеев Вячеслав Алексеевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН]
Библиотека
LDR
01728nam a2200301 i 4500
001
007522981
003
RuMoRGB
005
20140721140622.0
008
020101s2014 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: д10315-14
$b: RuMoRGB
$a: д10315-14
$b: RuMoRGB
017
##
$a: 04201458619
$b: RuMoVNTIC
$a: 04201458619
$b: RuMoVNTIC
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.07
$2: nsnr
$a: 01.04.07
$2: nsnr
100
1#
$a: Тимофеев, Вячеслав Алексеевич
$a: Тимофеев, Вячеслав Алексеевич
245
##
$a: Морфология и структура поверхности на начальных стадиях роста пленок GeSi и GeSiSn на Si(100) :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
$c: Тимофеев Вячеслав Алексеевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН]
$a: Морфология и структура поверхности на начальных стадиях роста пленок GeSi и GeSiSn на Si(100) :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
$c: Тимофеев Вячеслав Алексеевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН]
260
##
$a: Новосибирск
$c: 2014
$a: Новосибирск
$c: 2014
300
##
$a: 171 с.
$b: ил.
$a: 171 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 147-168
$a: Библиогр.: с. 147-168
650
#1
$a: Физика конденсированного состояния
$2: nsnr
$a: Физика конденсированного состояния
$2: nsnr
720
1#
$a: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
$a: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
787
11
$w: 005547638
$i: Автореферат
$w: 005547638
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL01
$j: 61 14-1/790
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL01
$j: 61 14-1/790
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01007000000/rsl01007522000/rsl01007522981/rsl01007522981.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01007000000/rsl01007522000/rsl01007522981/rsl01007522981.pdf
$y: Читать
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 005547638
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 005547638
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Морфология и структура поверхности на начальных стадиях роста пленок GeSi и GeSiSn на Si(100) : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.07 » , автор — Тимофеев В.А.. Документ был опубликован в 2014 году. Место издания — Новосибирск. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Морфология и структура поверхности на начальных стадиях роста пленок GeSi и GeSiSn на Si(100) : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.07 » в удобной системе просмотра документов.