LDR
01194nam a2200253 i 4500
008
930311s1992 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: д5839-93
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
084
##
$a: з847.2-047-01,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Панайотти, Ирина Евгеньевна
245
##
$a: Нестационарные инжекционные и тепловые процессы в сверхмощных полупроводниковых переключателях :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
$c: Физ.-техн. ин-т
260
##
$a: Санкт-Петербург
$c: 1992
504
##
$a: Библиогр.: с. 131-140
650
#1
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
787
11
$w: 000056646
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL03
$j: 61 93-1/459
$x: 39
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 000056646
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Нестационарные инжекционные и тепловые процессы в сверхмощных полупроводниковых переключателях : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.10 » , автор — Панайотти И.Е.. Документ был опубликован в 1992 году. Место издания — Санкт-Петербург. Информация о документе предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5.