Новые физические явления в гетероструктурах на основе полупроводников А3В5: перспективные подходы к созданию оптоэлектроники будущего
Москва : Новый индекс, 2015
Новые физические явления в гетероструктурах на основе полупроводников А3В5: перспективные подходы к созданию оптоэлектроники будущего
Москва : Новый индекс, 2015
Библиографическое описание
Скопировать
Середин, Павел Владимирович. Новые физические явления в гетероструктурах на основе полупроводников А3В5: перспективные подходы к созданию оптоэлектроники будущего [Текст] / П. В. Середин. — Москва : Новый индекс, 2015. — 219 с. : ил., табл. : 22 см.; ISBN 978-5-94268-055-8.
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_007890641
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Новые физические явления в гетероструктурах на основе полупроводников А3В5: перспективные подходы к созданию оптоэлектроники будущего
Место издания
Москва
Издательство
Год издания
2015
Объем
219 с.
Ответственность
П. В. Середин
ISBN
978-5-94268-055-8
ББК
В379.271.5,07, З843.324-1с,07
Ключевые слова
эпитаксиальные гетероструктуры
Библиотека
LDR
02247nam a2200313 i 4500
001
007890641
005
20150325104111.0
008
150318s2015 ru 000 | rus d
017
##
$a: 15-19363
$b: RuMoRKP
$a: 15-19363
$b: RuMoRKP
020
##
$a: 978-5-94268-055-8
$a: 978-5-94268-055-8
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$e: rcr
$a: RuMoRGB
$b: rus
$e: rcr
041
##
$a: rus
$a: rus
084
##
$a: В379.271.5,07
$2: rubbk
$a: В379.271.5,07
$2: rubbk
084
##
$a: З843.324-1с,07
$2: rubbk
$a: З843.324-1с,07
$2: rubbk
100
1#
$a: Середин, Павел Владимирович
$a: Середин, Павел Владимирович
245
##
$a: Новые физические явления в гетероструктурах на основе полупроводников А3В5: перспективные подходы к созданию оптоэлектроники будущего
$h: [Текст]
$c: П. В. Середин
$a: Новые физические явления в гетероструктурах на основе полупроводников А3В5: перспективные подходы к созданию оптоэлектроники будущего
$h: [Текст]
$c: П. В. Середин
260
##
$a: Москва
$b: Новый индекс
$c: 2015
$a: Москва
$b: Новый индекс
$c: 2015
300
##
$a: 219 с.
$b: ил., табл.
$c: 22 см
$a: 219 с.
$b: ил., табл.
$c: 22 см
336
##
$a: текст (text)
$b: txt
$2: rdacontent
$a: текст (text)
$b: txt
$2: rdacontent
337
##
$a: неопосредованный (unmediated)
$b: n
$2: rdamedia
$a: неопосредованный (unmediated)
$b: n
$2: rdamedia
338
##
$a: том (volume)
$b: nc
$2: rdacarrier
$a: том (volume)
$b: nc
$2: rdacarrier
504
##
$a: Библиогр.: с. 204-219
$a: Библиогр.: с. 204-219
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела -- Физика полупроводников -- Электрические и магнитные свойства полупроводников -- Электрические явления при контакте полупроводников с металлами, диэлектриками, полупроводниками. Гетеропереходы -- Пособие для специалистов
$2: rubbk
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела -- Физика полупроводников -- Электрические и магнитные свойства полупроводников -- Электрические явления при контакте полупроводников с металлами, диэлектриками, полупроводниками. Гетеропереходы -- Пособие для специалистов
$2: rubbk
650
#1
$a: Полупроводники
$x: Гетеропереходы
RU\NLR\AUTH\6665132
$2: nlr_sh
$a: Полупроводники
$x: Гетеропереходы
RU\NLR\AUTH\6665132
$2: nlr_sh
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиотехнические материалы и изделия -- Полупроводниковые материалы -- Соединения типа A3B5 -- Методы исследования -- Пособие для специалистов
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиотехнические материалы и изделия -- Полупроводниковые материалы -- Соединения типа A3B5 -- Методы исследования -- Пособие для специалистов
$2: rubbk
653
##
$a: эпитаксиальные гетероструктуры
$a: эпитаксиальные гетероструктуры
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$j: 1 15-11/99
$x: 90
$a: РГБ
$b: FB
$j: 1 15-11/99
$x: 90
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$j: 1 15-11/100
$x: 90
$a: РГБ
$b: FB
$j: 1 15-11/100
$x: 90
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Новые физические явления в гетероструктурах на основе полупроводников А3В5: перспективные подходы к созданию оптоэлектроники будущего » , автор — Середин П.В.. Документ был опубликован в 2015 году. Место издания — Москва. Издательство — Новый индекс. Информация о документе предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5.