Механизмы формирования высокотемпературных слоев AlN и AlGaN в аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
Москва, 2018
Механизмы формирования высокотемпературных слоев AlN и AlGaN в аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
Москва, 2018
Библиографическое описание
Скопировать
Майборода, Иван Олегович. Механизмы формирования высокотемпературных слоев AlN и AlGaN в аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Майборода Иван Олегович; [Место защиты: Нац. исслед. центр "Курчатовский институт"]. — Москва, 2018. — 26 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_008700280
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Механизмы формирования высокотемпературных слоев AlN и AlGaN в аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.07
Место издания
Москва
Год издания
2018
Объем
26 с.
Ответственность
Майборода Иван Олегович; [Место защиты: Нац. исслед. центр "Курчатовский институт"]
ББК
В379.271.5-6,03, З852,0
Язык
Русский
Еще
Ключевые слова
полупроводники широкозонные нитридные, эпитаксия молекулярно-лучевая аммиачная, СВЧ электроника
Библиотека
LDR
02574nam a2200361 i 4500
001
008700280
003
RuMoRGB
005
20201224112355.0
008
190206s2018 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: АР-П-18-010360
$b: RuMoRKP
$a: АР-П-18-010360
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.07
$2: nsnr
$a: 01.04.07
$2: nsnr
084
##
$a: В379.271.5-6,03
$2: rubbk
$a: В379.271.5-6,03
$2: rubbk
084
##
$a: З852,0
$2: rubbk
$a: З852,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Майборода, Иван Олегович
$a: Майборода, Иван Олегович
245
##
$a: Механизмы формирования высокотемпературных слоев AlN и AlGaN в аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
$c: Майборода Иван Олегович; [Место защиты: Нац. исслед. центр "Курчатовский институт"]
$a: Механизмы формирования высокотемпературных слоев AlN и AlGaN в аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
$c: Майборода Иван Олегович; [Место защиты: Нац. исслед. центр "Курчатовский институт"]
260
##
$a: Москва
$c: 2018
$a: Москва
$c: 2018
300
##
$a: 26 с.
$a: 26 с.
541
1#
$c: RBT
$d: 20190506
$e: 2019.03.14.14
$c: RBT
$d: 20190506
$e: 2019.03.14.14
650
#1
$a: Физика конденсированного состояния
$2: nsnr
$a: Физика конденсированного состояния
$2: nsnr
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела -- Физика полупроводников -- Электрические и магнитные свойства полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками -- Тонкие пленки
$2: rubbk
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела -- Физика полупроводников -- Электрические и магнитные свойства полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками -- Тонкие пленки
$2: rubbk
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Электроника -- Полупроводниковые приборы
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Электроника -- Полупроводниковые приборы
$2: rubbk
653
##
$a: полупроводники широкозонные нитридные
$a: полупроводники широкозонные нитридные
653
##
$a: эпитаксия молекулярно-лучевая аммиачная
$a: эпитаксия молекулярно-лучевая аммиачная
653
##
$a: СВЧ электроника
$a: СВЧ электроника
720
1#
$a: Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
$a: Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
787
11
$w: 009936994
$i: Диссертация
$w: 009936994
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 18-1/1009
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 18-1/1009
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01008000000/rsl01008700000/rsl01008700280/rsl01008700280.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01008000000/rsl01008700000/rsl01008700280/rsl01008700280.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Механизмы формирования высокотемпературных слоев AlN и AlGaN в аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.07 » , автор — Майборода И.О.. Документ был опубликован в 2018 году. Место издания — Москва. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Механизмы формирования высокотемпературных слоев AlN и AlGaN в аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.07 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.