Версия для слепых
Тонкие пленки халькогенидных полупроводниковых соединений, полученные методом спин-коатинга : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.01.07
Тонкие пленки халькогенидных полупроводниковых соединений, полученные методом спин-коатинга
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.01.07
Мытищи, 2019

Тонкие пленки халькогенидных полупроводниковых соединений, полученные методом спин-коатинга
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.01.07

Мытищи, 2019

Библиографическое описание

Скопировать
Нгуен Тхи Ханг. Тонкие пленки халькогенидных полупроводниковых соединений, полученные методом спин-коатинга : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.01.07 / Нгуен Тхи Ханг; [Место защиты: Моск. гос. обл. ун-т]. — Мытищи, 2019. — 18 с..

Детальная информация

Код документа в НЭБ
000199_000009_008703136
Автор(ы)
Заглавие
Тонкие пленки халькогенидных полупроводниковых соединений, полученные методом спин-коатинга : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.01.07
Место издания
Мытищи
Год издания
2019
Объем
18 с.
Ответственность
Нгуен Тхи Ханг; [Место защиты: Моск. гос. обл. ун-т]
ББК
В379.226,03, З844.13-060.7-1,0
Язык
Русский
Ключевые слова
халькогенидные стеклообразные полупроводники, спин-коатинга метод

Другие книги автора

Другие документы из источника "Российская государственная библиотека (РГБ)" — Авторефераты диссертаций

Посмотреть все документы источника "Российская государственная библиотека (РГБ)"

MARC-запись (MARC21)

LDR
02463nam a2200349 i 4500
001
008703136
003
RuMoRGB
005
20191111162653.0
008
190523s2019 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: АР-П-19-002090
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
072
#1
$a: 01.01.07
$2: nsnr
084
##
$a: В379.226,03
$2: rubbk
084
##
$a: З844.13-060.7-1,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Нгуен Тхи Ханг
245
##
$a: Тонкие пленки халькогенидных полупроводниковых соединений, полученные методом спин-коатинга :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.01.07
$c: Нгуен Тхи Ханг; [Место защиты: Моск. гос. обл. ун-т]
260
##
$a: Мытищи
$c: 2019
300
##
$a: 18 с.
541
1#
$c: RBT
$d: 20190322
$e: 2019.05.16.41
650
#1
$a: Вычислительная математика
$2: nsnr
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела -- Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников -- Тонкие слои полупроводников
$2: rubbk
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника -- Пленочные схемы и приборы -- Технология производства -- Нанесение покрытий -- Теория. Исследование
$2: rubbk
653
##
$a: халькогенидные стеклообразные полупроводники
653
##
$a: спин-коатинга метод
720
1#
$a: Московский государственный областной университет
787
11
$w: 009985219
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 19-1/152
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01008000000/rsl01008703000/rsl01008703136/rsl01008703136.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Тонкие пленки халькогенидных полупроводниковых соединений, полученные методом спин-коатинга : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.01.07 » , автор — Нгуен Т.Х.. Документ был опубликован в 2019 году. Место издания — Мытищи. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Тонкие пленки халькогенидных полупроводниковых соединений, полученные методом спин-коатинга : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.01.07 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .