Получение тонких пленок GaP, AlGaAs и AlGaAsP на подложках Si методом импульсного лазерного напыления и исследование их свойств
диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
Ставрополь, 2017
Получение тонких пленок GaP, AlGaAs и AlGaAsP на подложках Si методом импульсного лазерного напыления и исследование их свойств
диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
Ставрополь, 2017
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Библиографическое описание
Скопировать
Девицкий, Олег Васильевич. Получение тонких пленок GaP, AlGaAs и AlGaAsP на подложках Si методом импульсного лазерного напыления и исследование их свойств : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Девицкий Олег Васильевич; [Место защиты: Юж.-Рос. гос. техн. ун-т (Новочеркас. политехн. ин-т)]. — Ставрополь, 2017. — 112 с. : ил..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_008954896
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Получение тонких пленок GaP, AlGaAs и AlGaAsP на подложках Si методом импульсного лазерного напыления и исследование их свойств : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.06
Место издания
Ставрополь
Год издания
2017
Объем
112 с.
Ответственность
Девицкий Олег Васильевич; [Место защиты: Юж.-Рос. гос. техн. ун-т (Новочеркас. политехн. ин-т)]
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
01700nam a2200289 i 4500
001
008954896
003
RuMoRGB
005
20170725165104.0
008
170725s2017 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: д8578-17
$b: RuMoRGB
$a: д8578-17
$b: RuMoRGB
017
##
$a: АААА-В17-417072170111-4
$b: RuMoVNTIC
$a: АААА-В17-417072170111-4
$b: RuMoVNTIC
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.06
$2: nsnr
$a: 05.27.06
$2: nsnr
100
1#
$a: Девицкий, Олег Васильевич
$a: Девицкий, Олег Васильевич
245
##
$a: Получение тонких пленок GaP, AlGaAs и AlGaAsP на подложках Si методом импульсного лазерного напыления и исследование их свойств :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
$c: Девицкий Олег Васильевич; [Место защиты: Юж.-Рос. гос. техн. ун-т (Новочеркас. политехн. ин-т)]
$a: Получение тонких пленок GaP, AlGaAs и AlGaAsP на подложках Si методом импульсного лазерного напыления и исследование их свойств :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
$c: Девицкий Олег Васильевич; [Место защиты: Юж.-Рос. гос. техн. ун-т (Новочеркас. политехн. ин-т)]
260
##
$a: Ставрополь
$c: 2017
$a: Ставрополь
$c: 2017
300
##
$a: 112 с.
$b: ил.
$a: 112 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 96-107
$a: Библиогр.: с. 96-107
650
#1
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
787
11
$w: 006655986
$i: Автореферат
$w: 006655986
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL01
$j: 61 17-5/1474
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL01
$j: 61 17-5/1474
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01008000000/rsl01008954000/rsl01008954896/rsl01008954896.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01008000000/rsl01008954000/rsl01008954896/rsl01008954896.pdf
$y: Читать
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 006655986
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 006655986
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Получение тонких пленок GaP, AlGaAs и AlGaAsP на подложках Si методом импульсного лазерного напыления и исследование их свойств : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.06 » , автор — Девицкий О.В.. Документ был опубликован в 2017 году. Место издания — Ставрополь. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Получение тонких пленок GaP, AlGaAs и AlGaAsP на подложках Si методом импульсного лазерного напыления и исследование их свойств : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.06 » в удобной системе просмотра документов.