Плазменные процессы в технологии НЕМТ транзисторов на основе III-нитридов
диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04
диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04
Санкт-Петербург, 2018
Плазменные процессы в технологии НЕМТ транзисторов на основе III-нитридов
диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04
Санкт-Петербург, 2018
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Библиографическое описание
Скопировать
Андрианов, Николай Александрович. Плазменные процессы в технологии НЕМТ транзисторов на основе III-нитридов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04 / Андрианов Николай Александрович; [Место защиты: С.-Петерб. политехн. ун-т Петра Великого]. — Санкт-Петербург, 2018. — 188 с. : ил..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_009857654
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Плазменные процессы в технологии НЕМТ транзисторов на основе III-нитридов : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.04
Место издания
Санкт-Петербург
Год издания
2018
Объем
188 с.
Ответственность
Андрианов Николай Александрович; [Место защиты: С.-Петерб. политехн. ун-т Петра Великого]
ББК
З852.3-060.7,0, Ж624-1,0
Язык
Русский
Еще
Ключевые слова
полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT), плазменная обработка поверхности HEMT структур, энергоанализатор планарный
Библиотека
LDR
02617nam a2200397 i 4500
001
009857654
003
RuMoRGB
005
20220811101053.0
008
190116s2018 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: д358-19
$b: RuMoRGB
$a: д358-19
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.04
$2: nsnr
$a: 01.04.04
$2: nsnr
084
##
$a: З852.3-060.7,0
$2: rubbk
$a: З852.3-060.7,0
$2: rubbk
084
##
$a: Ж624-1,0
$2: rubbk
$a: Ж624-1,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Андрианов, Николай Александрович
$a: Андрианов, Николай Александрович
245
##
$a: Плазменные процессы в технологии НЕМТ транзисторов на основе III-нитридов :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04
$c: Андрианов Николай Александрович; [Место защиты: С.-Петерб. политехн. ун-т Петра Великого]
$a: Плазменные процессы в технологии НЕМТ транзисторов на основе III-нитридов :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04
$c: Андрианов Николай Александрович; [Место защиты: С.-Петерб. политехн. ун-т Петра Великого]
260
##
$a: Санкт-Петербург
$c: 2018
$a: Санкт-Петербург
$c: 2018
300
##
$a: 188 с.
$b: ил.
$a: 188 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 163-186
$a: Библиогр.: с. 163-186
541
1#
$c: RBT
$d: 20190529
$e: 2018.12.13.58
$c: RBT
$d: 20190529
$e: 2018.12.13.58
541
1#
$c: OEK
$d: 20190410
$c: OEK
$d: 20190410
650
#1
$a: Физическая электроника
$2: nsnr
$a: Физическая электроника
$2: nsnr
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Электроника. Электронные приборы -- Полупроводниковые приборы -- Транзисторы -- Технология производства -- Нанесение покрытий -- Методы исследований
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Электроника. Электронные приборы -- Полупроводниковые приборы -- Транзисторы -- Технология производства -- Нанесение покрытий -- Методы исследований
$2: rubbk
650
#1
$a: Техника и технические науки (в целом) -- Общая технология. Основы промышленного производства -- Плазменная обработка -- Исследования
$2: rubbk
$a: Техника и технические науки (в целом) -- Общая технология. Основы промышленного производства -- Плазменная обработка -- Исследования
$2: rubbk
653
##
$a: полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT)
$a: полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT)
653
##
$a: плазменная обработка поверхности HEMT структур
$a: плазменная обработка поверхности HEMT структур
653
##
$a: энергоанализатор планарный
$a: энергоанализатор планарный
720
1#
$a: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
$a: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
787
11
$w: 008717251
$i: Автореферат
$w: 008717251
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL01
$j: 61 19-1/14
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL01
$j: 61 19-1/14
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01009000000/rsl01009857000/rsl01009857654/rsl01009857654.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01009000000/rsl01009857000/rsl01009857654/rsl01009857654.pdf
$y: Читать
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 008717251
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 008717251
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Плазменные процессы в технологии НЕМТ транзисторов на основе III-нитридов : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.04 » , автор — Андрианов Н.А.. Документ был опубликован в 2018 году. Место издания — Санкт-Петербург. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Плазменные процессы в технологии НЕМТ транзисторов на основе III-нитридов : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.04 » в удобной системе просмотра документов.