Версия для слепых
Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия : диссертация . кандидата технических наук : 01.04.04
Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия
диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.04
Томск, 2019

Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия
диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.04

Томск, 2019
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ

Библиографическое описание

Скопировать
Федин, Иван Владимирович. Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия : диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.04 / Федин Иван Владимирович; [Место защиты: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники]. — Томск, 2019. — 147 с. : ил..

Детальная информация

Код документа в НЭБ
000199_000009_010169610
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия : диссертация . кандидата технических наук : 01.04.04
Место издания
Томск
Год издания
2019
Объем
147 с.
Ответственность
Федин Иван Владимирович; [Место защиты: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники]
ББК
З852.2-06,0
Язык
Русский

Другие документы из источника "Российская государственная библиотека (РГБ)" — Диссертации

Посмотреть все документы источника "Российская государственная библиотека (РГБ)"

MARC-запись (MARC21)

LDR
02003nam a22003257 4500
001
010169610
003
RuMoRGB
005
20201203145431.0
008
191125s2019 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: д1487-20
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.04
$2: nsnr
084
##
$a: З852.2-06,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Федин, Иван Владимирович
245
##
$a: Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.04
$c: Федин Иван Владимирович; [Место защиты: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники]
260
##
$a: Томск
$c: 2019
300
##
$a: 147 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 128-145
541
1#
$c: RBT
$d: 20191115
$e: 2019.12.27.72
650
#1
$a: Физическая электроника
$2: nsnr
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Электроника. Электронные приборы -- Полупроводниковые приборы -- Полупроводниковые диоды -- Технология производства
$2: rubbk
720
1#
$a: ФГБОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники»
787
11
$w: 010169609
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL03
$j: 61 20-5/395
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010169000/rsl01010169610/rsl01010169610.pdf
$y: Читать
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 010169609
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия : диссертация . кандидата технических наук : 01.04.04 » , автор — Федин И.В.. Документ был опубликован в 2019 году. Место издания — Томск. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия : диссертация . кандидата технических наук : 01.04.04 » в удобной системе просмотра документов.
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .