Исследование влияния электрического поля на процессы переноса и флуктуации носителей заряда в полупроводниковых барьерных структурах
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Рязань, 2020
Исследование влияния электрического поля на процессы переноса и флуктуации носителей заряда в полупроводниковых барьерных структурах
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Рязань, 2020
Библиографическое описание
Скопировать
Семенов, Андрей Романович. Исследование влияния электрического поля на процессы переноса и флуктуации носителей заряда в полупроводниковых барьерных структурах : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Семенов Андрей Романович; [Место защиты: Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина]. — Рязань, 2020. — 18 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_010248389
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Исследование влияния электрического поля на процессы переноса и флуктуации носителей заряда в полупроводниковых барьерных структурах : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Место издания
Рязань
Год издания
2020
Объем
18 с.
Ответственность
Семенов Андрей Романович; [Место защиты: Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина]
ББК
В379.271.5,03, З844.19-01,0
Язык
Русский
Еще
Ключевые слова
полупроводниковые барьерные структуры
Библиотека
LDR
02508nam a22003377 4500
001
010248389
003
RuMoRGB
005
20210312164347.0
008
200826s2020 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: АР-П-20-003620
$b: RuMoRKP
$a: АР-П-20-003620
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
$a: 01.04.10
$2: nsnr
084
##
$a: В379.271.5,03
$2: rubbk
$a: В379.271.5,03
$2: rubbk
084
##
$a: З844.19-01,0
$2: rubbk
$a: З844.19-01,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Семенов, Андрей Романович
$a: Семенов, Андрей Романович
245
##
$a: Исследование влияния электрического поля на процессы переноса и флуктуации носителей заряда в полупроводниковых барьерных структурах :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
$c: Семенов Андрей Романович; [Место защиты: Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина]
$a: Исследование влияния электрического поля на процессы переноса и флуктуации носителей заряда в полупроводниковых барьерных структурах :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
$c: Семенов Андрей Романович; [Место защиты: Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина]
260
##
$a: Рязань
$c: 2020
$a: Рязань
$c: 2020
300
##
$a: 18 с.
$a: 18 с.
541
1#
$c: RBT
$d: 20200819
$e: 2020.10.06.24
$c: RBT
$d: 20200819
$e: 2020.10.06.24
650
#1
$a: Физика полупроводников
$2: nsnr
$a: Физика полупроводников
$2: nsnr
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками
$2: rubbk
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками
$2: rubbk
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника -- Наноэлектроника -- Теория
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника -- Наноэлектроника -- Теория
$2: rubbk
653
##
$a: полупроводниковые барьерные структуры
$a: полупроводниковые барьерные структуры
720
1#
$a: ФГБОУ ВО «Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина»
$a: ФГБОУ ВО «Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина»
787
11
$w: 010248390
$i: Диссертация
$w: 010248390
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 20-1/248
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 20-1/248
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010248000/rsl01010248389/rsl01010248389.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010248000/rsl01010248389/rsl01010248389.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Исследование влияния электрического поля на процессы переноса и флуктуации носителей заряда в полупроводниковых барьерных структурах : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.10 » , автор — Семенов А.Р.. Документ был опубликован в 2020 году. Место издания — Рязань. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Исследование влияния электрического поля на процессы переноса и флуктуации носителей заряда в полупроводниковых барьерных структурах : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 01.04.10 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.