Приборно-технологическое моделирование субмикронных МОП-транзисторов со структурой кремний на изоляторе с учетом температурных и радиационных эффектов
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.12
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.12
Москва, 2020
Приборно-технологическое моделирование субмикронных МОП-транзисторов со структурой кремний на изоляторе с учетом температурных и радиационных эффектов
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.12
Москва, 2020
Библиографическое описание
Скопировать
Попов, Дмитрий Александрович. Приборно-технологическое моделирование субмикронных МОП-транзисторов со структурой кремний на изоляторе с учетом температурных и радиационных эффектов : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.12 / Попов Дмитрий Александрович; [Место защиты: Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук]. — Москва, 2020. — 26 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_010253105
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Приборно-технологическое моделирование субмикронных МОП-транзисторов со структурой кремний на изоляторе с учетом температурных и радиационных эффектов : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.13.12
Место издания
Москва
Год издания
2020
Объем
26 с.
Ответственность
Попов Дмитрий Александрович; [Место защиты: Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук]
ББК
З844.15-029,0, З844.15-01с116,0
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
02398nam a22003257 4500
001
010253105
003
RuMoRGB
005
20220201123221.0
008
201127s2020 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: АР-П-20-005713
$b: RuMoRKP
$a: АР-П-20-005713
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.13.12
$2: nsnr
$a: 05.13.12
$2: nsnr
084
##
$a: З844.15-029,0
$2: rubbk
$a: З844.15-029,0
$2: rubbk
084
##
$a: З844.15-01с116,0
$2: rubbk
$a: З844.15-01с116,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Попов, Дмитрий Александрович
$a: Попов, Дмитрий Александрович
245
##
$a: Приборно-технологическое моделирование субмикронных МОП-транзисторов со структурой кремний на изоляторе с учетом температурных и радиационных эффектов :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.12
$c: Попов Дмитрий Александрович; [Место защиты: Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук]
$a: Приборно-технологическое моделирование субмикронных МОП-транзисторов со структурой кремний на изоляторе с учетом температурных и радиационных эффектов :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.12
$c: Попов Дмитрий Александрович; [Место защиты: Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук]
260
##
$a: Москва
$c: 2020
$a: Москва
$c: 2020
300
##
$a: 26 с.
$a: 26 с.
541
1#
$c: RBT
$d: 20201017
$e: 2020.12.17.56
$c: RBT
$d: 20201017
$e: 2020.12.17.56
650
#1
$a: Системы автоматизации проектирования
$2: nsnr
$a: Системы автоматизации проектирования
$2: nsnr
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника -- Интегральные схемы -- Проектирование -- Проектирование с учетом работы в особых условиях
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника -- Интегральные схемы -- Проектирование -- Проектирование с учетом работы в особых условиях
$2: rubbk
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Микроэлектроника -- Интегральные схемы -- Моделирование на вычислительных машинах
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Микроэлектроника -- Интегральные схемы -- Моделирование на вычислительных машинах
$2: rubbk
720
1#
$a: ФГБУН Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук
$a: ФГБУН Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук
787
11
$w: 010253106
$i: Диссертация
$w: 010253106
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 20-5/1199
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 20-5/1199
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010253000/rsl01010253105/rsl01010253105.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010253000/rsl01010253105/rsl01010253105.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Приборно-технологическое моделирование субмикронных МОП-транзисторов со структурой кремний на изоляторе с учетом температурных и радиационных эффектов : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.13.12 » , автор — Попов Д.А.. Документ был опубликован в 2020 году. Место издания — Москва. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Приборно-технологическое моделирование субмикронных МОП-транзисторов со структурой кремний на изоляторе с учетом температурных и радиационных эффектов : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.13.12 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.