Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур
автореферат дис. ... доктора технических наук : 02.00.21
автореферат дис. ... доктора технических наук : 02.00.21
Долгопрудный, 2020
Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур
автореферат дис. ... доктора технических наук : 02.00.21
Долгопрудный, 2020
Библиографическое описание
Скопировать
Маркеев, Андрей Михайлович. Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур : автореферат дис. ... доктора технических наук : 02.00.21 / Маркеев Андрей Михайлович; [Место защиты: Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)]. — Долгопрудный, 2020. — 35 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_010253913
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур : автореферат дис. доктора технических наук : 02.00.21
Место издания
Долгопрудный
Год издания
2020
Объем
35 с.
Ответственность
Маркеев Андрей Михайлович; [Место защиты: Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)]
ББК
З844.1-060.7,0
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
02121nam a22003017 4500
001
010253913
003
RuMoRGB
005
20211210120631.0
008
201127s2020 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: АР-П-20-005093
$b: RuMoRKP
$a: АР-П-20-005093
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 02.00.21
$2: nsnr
$a: 02.00.21
$2: nsnr
084
##
$a: З844.1-060.7,0
$2: rubbk
$a: З844.1-060.7,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Маркеев, Андрей Михайлович
$a: Маркеев, Андрей Михайлович
245
##
$a: Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур :
$b: автореферат дис. ... доктора технических наук : 02.00.21
$c: Маркеев Андрей Михайлович; [Место защиты: Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)]
$a: Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур :
$b: автореферат дис. ... доктора технических наук : 02.00.21
$c: Маркеев Андрей Михайлович; [Место защиты: Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)]
260
##
$a: Долгопрудный
$c: 2020
$a: Долгопрудный
$c: 2020
300
##
$a: 35 с.
$a: 35 с.
541
1#
$c: RBT
$d: 20201117
$e: 2020.12.22.94
$c: RBT
$d: 20201117
$e: 2020.12.22.94
650
#1
$a: Химия твердого тела
$2: nsnr
$a: Химия твердого тела
$2: nsnr
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Общая радиотехника -- Радиоаппаратура (радиоэлектронная аппаратура) -- Микрорадиоэлектронная аппаратура. Микроэлектроника -- Технология производства -- Нанесение покрытий
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Общая радиотехника -- Радиоаппаратура (радиоэлектронная аппаратура) -- Микрорадиоэлектронная аппаратура. Микроэлектроника -- Технология производства -- Нанесение покрытий
$2: rubbk
720
1#
$a: ФГБОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)»
$a: ФГБОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)»
787
11
$w: 010256293
$i: Диссертация
$w: 010256293
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 20-5/925
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 20-5/925
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010253000/rsl01010253913/rsl01010253913.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010253000/rsl01010253913/rsl01010253913.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур : автореферат дис. доктора технических наук : 02.00.21 » , автор — Маркеев А.М.. Документ был опубликован в 2020 году. Место издания — Долгопрудный. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур : автореферат дис. доктора технических наук : 02.00.21 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.