Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур
диссертация ... доктора технических наук : 02.00.21
диссертация ... доктора технических наук : 02.00.21
Долгопрудный, 2020
Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур
диссертация ... доктора технических наук : 02.00.21
Долгопрудный, 2020
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Библиографическое описание
Скопировать
Маркеев, Андрей Михайлович. Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур : диссертация ... доктора технических наук : 02.00.21 / Маркеев Андрей Михайлович; [Место защиты: ФГБОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)»]. — Долгопрудный, 2020. — 340 с. : ил..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_010256293
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур : диссертация . доктора технических наук : 02.00.21
Место издания
Долгопрудный
Год издания
2020
Объем
340 с.
Ответственность
Маркеев Андрей Михайлович; [Место защиты: ФГБОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)»]
ББК
З844.1-060.7,0
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
02267nam a22003377 4500
001
010256293
003
RuMoRGB
005
20211210120730.0
008
210118s2020 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: д2346-21
$b: RuMoRGB
$a: д2346-21
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 02.00.21
$2: nsnr
$a: 02.00.21
$2: nsnr
084
##
$a: З844.1-060.7,0
$2: rubbk
$a: З844.1-060.7,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Маркеев, Андрей Михайлович
$a: Маркеев, Андрей Михайлович
245
##
$a: Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур :
$b: диссертация ... доктора технических наук : 02.00.21
$c: Маркеев Андрей Михайлович; [Место защиты: ФГБОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)»]
$a: Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур :
$b: диссертация ... доктора технических наук : 02.00.21
$c: Маркеев Андрей Михайлович; [Место защиты: ФГБОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)»]
260
##
$a: Долгопрудный
$c: 2020
$a: Долгопрудный
$c: 2020
300
##
$a: 340 с.
$b: ил.
$a: 340 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 276-326
$a: Библиогр.: с. 276-326
541
1#
$c: RBT
$d: 20210111
$e: 2021.02.11.49
$c: RBT
$d: 20210111
$e: 2021.02.11.49
541
1#
$c: OEK
$d: 20210305
$c: OEK
$d: 20210305
650
#1
$a: Химия твердого тела
$2: nsnr
$a: Химия твердого тела
$2: nsnr
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Общая радиотехника -- Радиоаппаратура (радиоэлектронная аппаратура) -- Микрорадиоэлектронная аппаратура. Микроэлектроника -- Технология производства -- Нанесение покрытий
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Общая радиотехника -- Радиоаппаратура (радиоэлектронная аппаратура) -- Микрорадиоэлектронная аппаратура. Микроэлектроника -- Технология производства -- Нанесение покрытий
$2: rubbk
720
1#
$a: ФГБОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)»
$a: ФГБОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)»
787
11
$w: 010253913
$i: Автореферат
$w: 010253913
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL03
$j: 71 21-5/62
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL03
$j: 71 21-5/62
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010256000/rsl01010256293/rsl01010256293.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010256000/rsl01010256293/rsl01010256293.pdf
$y: Читать
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 10253913
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 10253913
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур : диссертация . доктора технических наук : 02.00.21 » , автор — Маркеев А.М.. Документ был опубликован в 2020 году. Место издания — Долгопрудный. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Атомно-слоевое осаждение металлических и многокомпонентных диэлектрических слоев для микроэлектронных структур : диссертация . доктора технических наук : 02.00.21 » в удобной системе просмотра документов.