Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01
Москва, 2021
Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN
автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01
Москва, 2021
Библиографическое описание
Скопировать
Захарченко, Роман Викторович. Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Захарченко Роман Викторович; [Место защиты: Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»]. — Москва, 2021. — 23 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_010259775
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.01
Место издания
Москва
Год издания
2021
Объем
23 с.
Ответственность
Захарченко Роман Викторович; [Место защиты: Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»]
ББК
З852.39-01,0
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
02069nam a22003017 4500
001
010259775
003
RuMoRGB
005
20220310143959.0
008
210319s2021 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: АР-П-21-002327
$b: RuMoRKP
$a: АР-П-21-002327
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.01
$2: nsnr
$a: 05.27.01
$2: nsnr
084
##
$a: З852.39-01,0
$2: rubbk
$a: З852.39-01,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Захарченко, Роман Викторович
$a: Захарченко, Роман Викторович
245
##
$a: Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01
$c: Захарченко Роман Викторович; [Место защиты: Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»]
$a: Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01
$c: Захарченко Роман Викторович; [Место защиты: Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»]
260
##
$a: Москва
$c: 2021
$a: Москва
$c: 2021
300
##
$a: 23 с.
$a: 23 с.
541
1#
$c: RBT
$d: 20210312
$e: 2021.04.22.n02
$c: RBT
$d: 20210312
$e: 2021.04.22.n02
650
#1
$a: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$2: nsnr
$a: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$2: nsnr
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Электроника -- Полупроводниковые приборы -- Полупроводниковые транзисторы -- Полевые транзисторы -- Исследование
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Электроника -- Полупроводниковые приборы -- Полупроводниковые транзисторы -- Полевые транзисторы -- Исследование
$2: rubbk
720
1#
$a: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
$a: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
787
11
$w: 010259776
$i: Диссертация
$w: 010259776
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 21-5/437
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 21-5/437
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010259000/rsl01010259775/rsl01010259775.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010259000/rsl01010259775/rsl01010259775.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.01 » , автор — Захарченко Р.В.. Документ был опубликован в 2021 году. Место издания — Москва. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.01 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.