Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.01
Москва, 2020
Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.01
Москва, 2020
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Библиографическое описание
Скопировать
Захарченко, Роман Викторович. Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Захарченко Роман Викторович; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»]. — Москва, 2020. — 118 с. : ил..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_010259776
Автор(ы)
Заглавие
Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.01
Место издания
Москва
Год издания
2020
Объем
118 с.
Ответственность
Захарченко Роман Викторович; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»]
ББК
З852.39-01,0
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
02215nam a22003377 4500
001
010259776
003
RuMoRGB
005
20220310144032.0
008
210319s2020 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: д4053-21
$b: RuMoRGB
$a: д4053-21
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.01
$a: 05.27.01
084
##
$a: З852.39-01,0
$a: З852.39-01,0
100
1#
$a: Захарченко, Роман Викторович
$a: Захарченко, Роман Викторович
245
##
$a: Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01
$c: Захарченко Роман Викторович; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»]
$a: Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01
$c: Захарченко Роман Викторович; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»]
260
##
$a: Москва
$c: 2020
$a: Москва
$c: 2020
300
##
$a: 118 с.
$b: ил.
$a: 118 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 107-118
$a: Библиогр.: с. 107-118
541
1#
$c: RBT
$d: 20210312
$e: 2021.04.22.n02
$c: RBT
$d: 20210312
$e: 2021.04.22.n02
541
1#
$c: OEK
$d: 20210910
$c: OEK
$d: 20210910
650
#1
$a: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$a: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Электроника -- Полупроводниковые приборы -- Полупроводниковые транзисторы -- Полевые транзисторы -- Исследование
$a: Радиоэлектроника -- Электроника -- Полупроводниковые приборы -- Полупроводниковые транзисторы -- Полевые транзисторы -- Исследование
720
1#
$a: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
$a: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
787
11
$i: Автореферат
$w: 010259775
$i: Автореферат
$w: 010259775
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL03
$j: 61 21-5/870
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL03
$j: 61 21-5/870
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010259000/rsl01010259776/rsl01010259776.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010259000/rsl01010259776/rsl01010259776.pdf
$y: Читать
LKR
##
$a: PAR
$b: 010259775
$l: RSL01
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$b: 010259775
$l: RSL01
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.01 » , автор — Захарченко Р.В.. Документ был опубликован в 2020 году. Место издания — Москва. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.01 » в удобной системе просмотра документов.