LDR
01510nam a2200253 i 4500
008
200211s1994 ru 000 0 rus d
017
##
$a: 94-5600
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
072
#1
$a: 05.27.01
$2: nsnr
084
##
$a: з852.39-060.7-64,0
$2: rubbk
084
##
$a: з843.324.408.07,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Самсоненко, Борис Николаевич
245
##
$a: Электрохимические процессы обработки поверхности полупроводника и формирования металлизации в технологии полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01
$c: Самсоненко Борис Николаевич ; [Место защиты: Московский государственный институт электронной техники]
506
##
$a: Для служ. пользования
650
#1
$a: Твердотельная электроника, микроэлектроника
$2: nsnr
710
1#
$a: Московский государственный институт электронной техники
852
1#
$a: РГБ
$b: DSP
$c: D09N
$j: Др 95/505
$x: 92
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Электрохимические процессы обработки поверхности полупроводника и формирования металлизации в технологии полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.27.01 » , автор — Самсоненко Б.Н.. Документ был опубликован в 1994 году. Место издания — Москва. Информация о документе предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5.