Механизмы ОЖЕ-рекомбинации в полупроводниковых наногетероструктурах и их влияние на характеристики лазеров
Санкт-Петербург : ЛЭТИ, 2017
Механизмы ОЖЕ-рекомбинации в полупроводниковых наногетероструктурах и их влияние на характеристики лазеров
Санкт-Петербург : ЛЭТИ, 2017
Библиографическое описание
Скопировать
Зегря, Георгий Георгиевич. Механизмы ОЖЕ-рекомбинации в полупроводниковых наногетероструктурах и их влияние на характеристики лазеров / Г. Г. Зегря ; Минобрнауки России, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина). — Санкт-Петербург : ЛЭТИ, 2017. — 215 с. : ил. : 21 см.; ISBN 978-5-7629-2179-4.
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_010284753
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Механизмы ОЖЕ-рекомбинации в полупроводниковых наногетероструктурах и их влияние на характеристики лазеров
Место издания
Санкт-Петербург
Издательство
Год издания
2017
Объем
215 с.
Ответственность
Г. Г. Зегря ; Минобрнауки России, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет &
34;ЛЭТИ&
34; им. В. И. Ульянова (Ленина)
34;ЛЭТИ&
34; им. В. И. Ульянова (Ленина)
ISBN
978-5-7629-2179-4
ББК
З86-53-016,0, В379.271.5-6,0
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
01964nam a2200289 i 4500
001
010284753
005
20200226144201.0
008
200217s2017 ru 0|| | rus|d
017
##
$a: КН-П-20-010592
$b: RuMoRKP
$a: КН-П-20-010592
$b: RuMoRKP
020
##
$a: 978-5-7629-2179-4
$c: 500 экз.
$a: 978-5-7629-2179-4
$c: 500 экз.
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$e: rcr
$a: RuMoRGB
$b: rus
$e: rcr
041
##
$a: rus
$a: rus
044
##
$a: ru
$a: ru
084
##
$a: З86-53-016,0
$a: З86-53-016,0
084
##
$a: В379.271.5-6,0
$a: В379.271.5-6,0
100
1#
$a: Зегря, Георгий Георгиевич
$a: Зегря, Георгий Георгиевич
245
##
$a: Механизмы ОЖЕ-рекомбинации в полупроводниковых наногетероструктурах и их влияние на характеристики лазеров
$c: Г. Г. Зегря ; Минобрнауки России, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
$a: Механизмы ОЖЕ-рекомбинации в полупроводниковых наногетероструктурах и их влияние на характеристики лазеров
$c: Г. Г. Зегря ; Минобрнауки России, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
260
##
$a: Санкт-Петербург
$b: ЛЭТИ
$c: 2017
$a: Санкт-Петербург
$b: ЛЭТИ
$c: 2017
300
##
$a: 215 с.
$b: ил.
$c: 21 см
$a: 215 с.
$b: ил.
$c: 21 см
336
##
$a: Текст (визуальный)
$a: Текст (визуальный)
337
##
$a: непосредственный
$a: непосредственный
504
##
$a: Библиогр.: с. 198-208
$a: Библиогр.: с. 198-208
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Квантовая электроника -- Квантовые приборы -- Лазеры -- Теория -- Характеристики
$a: Радиоэлектроника -- Квантовая электроника -- Квантовые приборы -- Лазеры -- Теория -- Характеристики
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками -- Гетерогенные наноструктуры
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками -- Гетерогенные наноструктуры
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$j: 1 20-6/386
$x: 90
$a: РГБ
$b: FB
$j: 1 20-6/386
$x: 90
852
1#
$a: РГБ
$b: CPF
$c: A325
$h: З-86/З-47
$x: 14
$a: РГБ
$b: CPF
$c: A325
$h: З-86/З-47
$x: 14
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Механизмы ОЖЕ-рекомбинации в полупроводниковых наногетероструктурах и их влияние на характеристики лазеров » , автор — Зегря Г.Г.. Документ был опубликован в 2017 году. Место издания — Санкт-Петербург. Издательство — ЛЭТИ. Информация о документе предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5.