SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках : релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 01.04.10
Нижний Новгород, 2021
SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках : релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 01.04.10
Нижний Новгород, 2021
Библиографическое описание
Новиков, Алексей Витальевич. SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках : релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Новиков Алексей Витальевич; [Место защиты: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук]. — Нижний Новгород, 2021. — 38 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_010700220
Автор
Заглавие
SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках : релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 01.04.10
Место издания
Нижний Новгород
Год издания
2021
Объем
38 с.
Ответственность
Новиков Алексей Витальевич; [Место защиты: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук]
ББК
В379.26,03, В379.249,03, З854.22-01,0
Ключевые слова
полупроводниковые гетероструктуры
Библиотека
Портал НЭБ предлагает вам скачать или читать онлайн диссертацию (автореферат) на тему «SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках : релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 01.04.10» ББК:В379.26,03, В379.249,03, З854.22-01,0, автора Новиков А.В. Документ был издан в 2021 году. Содержит 38 с.
Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.
LDR
03143nam a2200361 i 4500
001
010700220
003
RuMoRGB
005
20211130102824.0
008
210521s2021 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: АР-П-21-003753
$b: RuMoRKP
$a: АР-П-21-003753
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
$a: 01.04.10
$2: nsnr
084
##
$a: В379.26,03
$2: rubbk
$a: В379.26,03
$2: rubbk
084
##
$a: В379.249,03
$2: rubbk
$a: В379.249,03
$2: rubbk
084
##
$a: З854.22-01,0
$2: rubbk
$a: З854.22-01,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Новиков, Алексей Витальевич
$a: Новиков, Алексей Витальевич
245
##
$a: SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках :
$b: релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
$c: Новиков Алексей Витальевич; [Место защиты: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук]
$a: SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках :
$b: релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
$c: Новиков Алексей Витальевич; [Место защиты: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук]
260
##
$a: Нижний Новгород
$c: 2021
$a: Нижний Новгород
$c: 2021
300
##
$a: 38 с.
$a: 38 с.
541
1#
$e: 2021.07.06.11
$e: 2021.07.06.11
650
#1
$a: Физика полупроводников
$2: nsnr
$a: Физика полупроводников
$2: nsnr
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Механические и акустические свойства монокристаллов полупроводников
$2: rubbk
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Механические и акустические свойства монокристаллов полупроводников
$2: rubbk
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Оптические свойства полупроводников -- Люминесценция полупроводников
$2: rubbk
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Оптические свойства полупроводников -- Люминесценция полупроводников
$2: rubbk
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Электроника. Электронные приборы -- Фотоэлектрические приборы -- Полупроводниковые фотоэлектрические приборы -- Вентильные фотоэлементы. Светодиоды -- Исследование
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Электроника. Электронные приборы -- Фотоэлектрические приборы -- Полупроводниковые фотоэлектрические приборы -- Вентильные фотоэлементы. Светодиоды -- Исследование
$2: rubbk
653
##
$a: полупроводниковые гетероструктуры
$a: полупроводниковые гетероструктуры
720
1#
$a: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
$a: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
787
11
$w: 010700225
$i: Диссертация
$w: 010700225
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$j: 9 21-1/264
$x: 81
$a: РГБ
$b: OD
$j: 9 21-1/264
$x: 81
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010700000/rsl01010700220/rsl01010700220.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010700000/rsl01010700220/rsl01010700220.pdf
$y: Читать