SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках : релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование : диссертация . доктора физико-математических наук : 01.04.10
Нижний Новгород, 2021
SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках : релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование : диссертация . доктора физико-математических наук : 01.04.10
Нижний Новгород, 2021
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Библиографическое описание
Новиков, Алексей Витальевич. SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках : релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Новиков Алексей Витальевич; [Место защиты: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук]. — Нижний Новгород, 2021. — 327 с. : ил..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_010700225
Каталог
Автор
Заглавие
SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках : релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование : диссертация . доктора физико-математических наук : 01.04.10
Место издания
Нижний Новгород
Год издания
2021
Объем
327 с.
Ответственность
Новиков Алексей Витальевич; [Место защиты: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук]
ББК
В379.26,03, В379.249,03, З854.22-01,0
Ключевые слова
полупроводниковые гетероструктуры
Библиотека
Портал НЭБ предлагает вам читать онлайн в Электронном Читальном Зале (ЭЧЗ) диссертацию (автореферат) на тему «SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках : релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование : диссертация . доктора физико-математических наук : 01.04.10» ББК:В379.26,03, В379.249,03, З854.22-01,0, автора Новиков А.В. Документ был издан в 2021 году. Содержит 327 с.
Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.
LDR
03278nam a2200397 i 4500
001
010700225
003
RuMoRGB
005
20211130102818.0
008
210521s2021 ru |||| m |00 u rus d
017
##
$a: д6462-21
$b: RuMoRGB
$a: д6462-21
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
$a: 01.04.10
$2: nsnr
084
##
$a: В379.26,03
$2: rubbk
$a: В379.26,03
$2: rubbk
084
##
$a: В379.249,03
$2: rubbk
$a: В379.249,03
$2: rubbk
084
##
$a: З854.22-01,0
$2: rubbk
$a: З854.22-01,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Новиков, Алексей Витальевич
$a: Новиков, Алексей Витальевич
245
##
$a: SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках :
$b: релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
$c: Новиков Алексей Витальевич; [Место защиты: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук]
$a: SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках :
$b: релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
$c: Новиков Алексей Витальевич; [Место защиты: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук]
260
##
$a: Нижний Новгород
$c: 2021
$a: Нижний Новгород
$c: 2021
300
##
$a: 327 с.
$b: ил.
$a: 327 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 294-327
$a: Библиогр.: с. 294-327
541
1#
$e: 2021.07.06.11
$e: 2021.07.06.11
541
1#
$c: OEK
$d: 20210714
$c: OEK
$d: 20210714
650
#1
$a: Физика полупроводников
$2: nsnr
$a: Физика полупроводников
$2: nsnr
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Механические и акустические свойства монокристаллов полупроводников
$2: rubbk
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Механические и акустические свойства монокристаллов полупроводников
$2: rubbk
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Оптические свойства полупроводников -- Люминесценция полупроводников
$2: rubbk
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Оптические свойства полупроводников -- Люминесценция полупроводников
$2: rubbk
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Электроника. Электронные приборы -- Фотоэлектрические приборы -- Полупроводниковые фотоэлектрические приборы -- Вентильные фотоэлементы. Светодиоды -- Исследование
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Электроника. Электронные приборы -- Фотоэлектрические приборы -- Полупроводниковые фотоэлектрические приборы -- Вентильные фотоэлементы. Светодиоды -- Исследование
$2: rubbk
653
##
$a: полупроводниковые гетероструктуры
$a: полупроводниковые гетероструктуры
720
1#
$a: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
$a: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
787
11
$w: 010700220
$i: Автореферат
$w: 010700220
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 71 21-1/72
$x: 81
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 71 21-1/72
$x: 81
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010700000/rsl01010700225/rsl01010700225.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010700000/rsl01010700225/rsl01010700225.pdf
$y: Читать
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 010700220
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 010700220
$m: Диссертация
$n: Автореферат