Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.04
Долгопрудный, 2021
Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.04
Долгопрудный, 2021
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Библиографическое описание
Михеев, Виталий Витальевич. Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04 / Михеев Виталий Витальевич; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»]. — Долгопрудный, 2021. — 114 с. : ил..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_010806117
Каталог
Автор
Заглавие
Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.04
Место издания
Долгопрудный
Год издания
2021
Объем
114 с.
Ответственность
Михеев Виталий Витальевич; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»]
ББК
В379.371.771,03, З973.2-045.9,0
Ключевые слова
сегнетоэлектрические мемристоры
Библиотека
Портал НЭБ предлагает вам читать онлайн в Электронном Читальном Зале (ЭЧЗ) диссертацию (автореферат) на тему «Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.04» ББК:В379.371.771,03, З973.2-045.9,0, автора Михеев В.В. Документ был издан в 2021 году. Содержит 114 с.
Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.
LDR
03112nam a2200373 i 4500
001
010806117
003
RuMoRGB
005
20220111134207.0
008
210910s2021 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: д7896-21
$b: RuMoRGB
$a: д7896-21
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.04
$2: nsnr
$a: 01.04.04
$2: nsnr
084
##
$a: В379.371.771,03
$2: rubbk
$a: В379.371.771,03
$2: rubbk
084
##
$a: З973.2-045.9,0
$2: rubbk
$a: З973.2-045.9,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Михеев, Виталий Витальевич
$a: Михеев, Виталий Витальевич
245
##
$a: Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04
$c: Михеев Виталий Витальевич; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»]
$a: Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04
$c: Михеев Виталий Витальевич; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»]
260
##
$a: Долгопрудный
$c: 2021
$a: Долгопрудный
$c: 2021
300
##
$a: 114 с.
$b: ил.
$a: 114 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 105-114
$a: Библиогр.: с. 105-114
541
1#
$e: 2021.10.12.n06
$e: 2021.10.12.n06
541
1#
$c: OEK
$d: 20211028
$c: OEK
$d: 20211028
650
#1
$a: Физическая электроника
$2: nsnr
$a: Физическая электроника
$2: nsnr
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика диэлектриков -- Электрические свойства. Электронные и ионные явления -- Пьезоэлектрические и сегнетоэлектрические (ферроэлектрические) явления. Физика пьезоэлектриков и сегнетоэлектриков (ферроэлектриков) -- Электромагнитные свойства пьезоэлектриков и сегнетоэлектриков (ферроэлектриков) -- Электрические свойства пьезоэлектриков и сегнетоэлектриков
$2: rubbk
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика диэлектриков -- Электрические свойства. Электронные и ионные явления -- Пьезоэлектрические и сегнетоэлектрические (ферроэлектрические) явления. Физика пьезоэлектриков и сегнетоэлектриков (ферроэлектриков) -- Электромагнитные свойства пьезоэлектриков и сегнетоэлектриков (ферроэлектриков) -- Электрические свойства пьезоэлектриков и сегнетоэлектриков
$2: rubbk
650
#1
$a: Техника. Технические науки -- Радиоэлектроника -- Вычислительная техника -- Вычислительные машины электронные цифровые -- Запоминающие устройства -- Устройства сегнетоэлектрической памяти
$2: rubbk
$a: Техника. Технические науки -- Радиоэлектроника -- Вычислительная техника -- Вычислительные машины электронные цифровые -- Запоминающие устройства -- Устройства сегнетоэлектрической памяти
$2: rubbk
653
##
$a: сегнетоэлектрические мемристоры
$a: сегнетоэлектрические мемристоры
720
1#
$a: ФГАОУ ВО «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»
$a: ФГАОУ ВО «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»
787
11
$w: 010806116
$i: Автореферат
$w: 010806116
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL01
$j: 61 21-1/552
$x: 81
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL01
$j: 61 21-1/552
$x: 81
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010806000/rsl01010806117/rsl01010806117.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010806000/rsl01010806117/rsl01010806117.pdf
$y: Читать
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 010806116
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 010806116
$m: Диссертация
$n: Автореферат