Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C
диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01
диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01
Москва, 2022
Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C
диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01
Москва, 2022
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Библиографическое описание
Скопировать
Тхан Пьо Чжо. Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Тхан Пьо Чжо; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»]. — Москва, 2022. — 171 с. : ил..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_010991909
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.01
Место издания
Москва
Год издания
2022
Объем
171 с.
Ответственность
Тхан Пьо Чжо; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»]
ББК
З852.3-01,0
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
02512nam a22003257 4500
001
010991909
003
RuMoRGB
005
20220921160214.0
008
210330s2022 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: д3637-22
$b: RuMoRGB
$a: д3637-22
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.01
$2: nsnr
$a: 05.27.01
$2: nsnr
084
##
$a: З852.3-01,0
$2: rubbk
$a: З852.3-01,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Тхан Пьо Чжо
$a: Тхан Пьо Чжо
245
##
$a: Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01
$c: Тхан Пьо Чжо; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»]
$a: Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01
$c: Тхан Пьо Чжо; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»]
260
##
$a: Москва
$c: 2022
$a: Москва
$c: 2022
300
##
$a: 171 с.
$b: ил.
$a: 171 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 148-170
$a: Библиогр.: с. 148-170
541
1#
$b: https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert/100062974
$c: D11-6426
$d: 20220222
$e: 2022.03.15
$b: https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert/100062974
$c: D11-6426
$d: 20220222
$e: 2022.03.15
650
#1
$a: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$2: nsnr
$a: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$2: nsnr
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Электроника -- Полупроводниковые приборы -- Полупроводниковые транзисторы -- Исследование
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Электроника -- Полупроводниковые приборы -- Полупроводниковые транзисторы -- Исследование
$2: rubbk
720
1#
$a: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
$a: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
787
11
$w: 010991908
$i: Автореферат
$w: 010991908
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL03
$j: 61 22-5/911
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL03
$j: 61 22-5/911
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010991000/rsl01010991909/rsl01010991909.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01010000000/rsl01010991000/rsl01010991909/rsl01010991909.pdf
$y: Читать
LKR
##
$a: PAR
$b: 010991908
$l: RSL01
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$b: 010991908
$l: RSL01
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.01 » , автор — Тхан П.Ч.. Документ был опубликован в 2022 году. Место издания — Москва. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C : диссертация . кандидата технических наук : 05.27.01 » в удобной системе просмотра документов.