Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 01.04.10 (2022) — Андреева Н.В. — читать диссертацию (автореферат) онлайн, скачать бесплатно PDF

Библиографическое описание

Скопировать

Андреева, Наталья Владимировна. Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Андреева Наталья Владимировна; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»]. — Санкт-Петербург, 2022. — 34 с..

Детальная информация

Код документа в НЭБ

000199_000009_011207766

Каталог

Авторефераты диссертаций

Автор(ы)

Андреева Н.В.

Заглавие

Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 01.04.10

Место издания

Санкт-Петербург

Год издания

2022

Объем

34 с.

Ответственность

Андреева Наталья Владимировна; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»]

ББК

В379.371.771-6,0, З818.6,0

Язык

Русский

Еще

Ключевые слова

сегнетоэлектрические мемристивные тонкопленочные композиции, нейроморфные электронные системы

Библиотека

Российская государственная библиотека (РГБ)

Еще

MARC-запись (MARC21)

LDR

03128nam a22003497 4500

001

011207766

003

RuMoRGB

005

20221205134328.0

008

210330s2022 ru |||| a |00 u rus d

017

##
$a: АР-П-22-006414
$b: RuMoRKP

040

##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB

041

##
$a: rus

072

#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr

084

##
$a: В379.371.771-6,0
$2: rubbk

084

##
$a: З818.6,0
$2: rubbk

100

1#
$a: Андреева, Наталья Владимировна

245

##
$a: Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем :
$b: автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
$c: Андреева Наталья Владимировна; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»]

260

##
$a: Санкт-Петербург
$c: 2022

300

##
$a: 34 с.

541

1#
$b: https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert/100068031
$c: D11-13601
$d: 20220830
$e: 2022.09.30

650

#1
$a: Физика полупроводников
$2: nsnr

650

#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика диэлектриков -- Электрические свойства. Электронные и ионные явления -- Пьезоэлектрические и сегнетоэлектрические (ферроэлектрические) явления. Физика пьезоэлектриков и сегнетоэлектриков (ферроэлектриков) -- Электромагнитные свойства пьезоэлектриков и сегнетоэлектриков -- Тонкие слои (пленки) и наноструктуры
$2: rubbk

650

#1
$a: Техника. Технические науки -- Энергетика. Радиоэлектроника -- Радиоэлектроника -- Кибернетика -- Бионика -- Биоэлектрические модели. Нейронные сети
$2: rubbk

653

##
$a: сегнетоэлектрические мемристивные тонкопленочные композиции

653

##
$a: нейроморфные электронные системы

720

1#
$a: ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

787

11
$w: 011279220
$i: Диссертация

852

1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 22-1/489
$x: 39

856

11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01011000000/rsl01011207000/rsl01011207766/rsl01011207766.pdf
$y: Читать

Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 01.04.10 » , автор — Андреева Н.В.. Документ был опубликован в 2022 году. Место издания — Санкт-Петербург. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 01.04.10 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.

Библиографическое описание

Детальная информация

Тематика

Другие книги автора

Другие документы из источника "Российская государственная библиотека (РГБ)" — Авторефераты диссертаций

MARC-запись (MARC21)