Моделирование процессов деградации, вызываемых горячими носителями, в современных кремниевых транзисторах
автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 1.3.11.
автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 1.3.11.
Санкт-Петербург, 2022
Моделирование процессов деградации, вызываемых горячими носителями, в современных кремниевых транзисторах
автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 1.3.11.
Санкт-Петербург, 2022
Библиографическое описание
Скопировать
Тягинов, Станислав Эдуардович. Моделирование процессов деградации, вызываемых горячими носителями, в современных кремниевых транзисторах : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 1.3.11. / Тягинов Станислав Эдуардович; [Место защиты: ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук]. — Санкт-Петербург, 2022. — 38 с..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_011304868
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Моделирование процессов деградации, вызываемых горячими носителями, в современных кремниевых транзисторах : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 1.3.11.
Место издания
Санкт-Петербург
Год издания
2022
Объем
38 с.
Ответственность
Тягинов Станислав Эдуардович; [Место защиты: ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук]
ББК
В379.271.5,03, З852.3-035-1с116,0
Язык
Русский
Еще
Ключевые слова
туннельные токи в структурах металл-диэлектрик-полупроводник, кремниевые полевые транзисторы
Общее примечание
Диссертация снята с защиты на основании личного заявления соискателя в Диссовет ФТИ 34.01.02 (Письмо от организации №34.01.02-0990 от 23.05.2024 г.)
Еще
Библиотека
LDR
03233nam a22003497 4500
001
011304868
003
RuMoRGB
005
20240523134756.0
008
210330s2022 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: АР-П-22-008665
$b: RuMoRKP
$a: АР-П-22-008665
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 1.3.11.
$2: nsnr2021
$a: 1.3.11.
$2: nsnr2021
084
##
$a: В379.271.5,03
$2: rubbk
$a: В379.271.5,03
$2: rubbk
084
##
$a: З852.3-035-1с116,0
$2: rubbk
$a: З852.3-035-1с116,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Тягинов, Станислав Эдуардович
$a: Тягинов, Станислав Эдуардович
245
##
$a: Моделирование процессов деградации, вызываемых горячими носителями, в современных кремниевых транзисторах :
$b: автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 1.3.11.
$c: Тягинов Станислав Эдуардович; [Место защиты: ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук]
$a: Моделирование процессов деградации, вызываемых горячими носителями, в современных кремниевых транзисторах :
$b: автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 1.3.11.
$c: Тягинов Станислав Эдуардович; [Место защиты: ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук]
260
##
$a: Санкт-Петербург
$c: 2022
$a: Санкт-Петербург
$c: 2022
300
##
$a: 38 с.
$a: 38 с.
500
##
$a: Диссертация снята с защиты на основании личного заявления соискателя в Диссовет ФТИ 34.01.02 (Письмо от организации №34.01.02-0990 от 23.05.2024 г.)
$a: Диссертация снята с защиты на основании личного заявления соискателя в Диссовет ФТИ 34.01.02 (Письмо от организации №34.01.02-0990 от 23.05.2024 г.)
541
1#
$b: https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert_independent/91947834002
$c: D11-14868
$d: 20221017
$e: 2023.11.16
$b: https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert_independent/91947834002
$c: D11-14868
$d: 20221017
$e: 2023.11.16
650
#1
$a: Физика полупроводников
$2: nsnr2021
$a: Физика полупроводников
$2: nsnr2021
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Электрические и магнитные свойства полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками. Гетеропереходы
$2: rubbk
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Электрические и магнитные свойства полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками. Гетеропереходы
$2: rubbk
650
#1
$a: Радиоэлектроника -- Электроника -- Полупроводниковые приборы -- Транзисторы -- Неметаллические материалы -- Методы исследований -- Математическое моделирование
$2: rubbk
$a: Радиоэлектроника -- Электроника -- Полупроводниковые приборы -- Транзисторы -- Неметаллические материалы -- Методы исследований -- Математическое моделирование
$2: rubbk
653
##
$a: туннельные токи в структурах металл-диэлектрик-полупроводник
$a: туннельные токи в структурах металл-диэлектрик-полупроводник
653
##
$a: кремниевые полевые транзисторы
$a: кремниевые полевые транзисторы
720
1#
$a: ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
$a: ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 22-1/739
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL04
$j: 9 22-1/739
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01011000000/rsl01011304000/rsl01011304868/rsl01011304868.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01011000000/rsl01011304000/rsl01011304868/rsl01011304868.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Моделирование процессов деградации, вызываемых горячими носителями, в современных кремниевых транзисторах : автореферат дис. доктора физико-математических наук : 1.3.11. » , автор — Тягинов С.Э.. Документ был опубликован в 2022 году. Место издания — Санкт-Петербург. Информация о документе предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5.