Версия для слепых
Транспорт заряда в бесформовочных мемристорах на основе оксида и нитрида кремния : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 1.3.11.
Транспорт заряда в бесформовочных мемристорах на основе оксида и нитрида кремния
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11.
Новосибирск, 2023

Транспорт заряда в бесформовочных мемристорах на основе оксида и нитрида кремния
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11.

Новосибирск, 2023

Библиографическое описание

Скопировать
Гисматулин, Андрей Андреевич. Транспорт заряда в бесформовочных мемристорах на основе оксида и нитрида кремния : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11. / Гисматулин Андрей Андреевич; [Место защиты: ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; Диссовет 24.1.134.01 (Д 003.037.01)]. — Новосибирск, 2023. — 21 с. : ил..

Детальная информация

Код документа в НЭБ
000199_000009_011729289
Заглавие
Транспорт заряда в бесформовочных мемристорах на основе оксида и нитрида кремния : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 1.3.11.
Место издания
Новосибирск
Год издания
2023
Объем
21 с.
Ответственность
Гисматулин Андрей Андреевич; [Место защиты: ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; Диссовет 24.1.134.01 (Д 003.037.01)]
ББК
З973.2-045.9-03,0, В379.271-6,03, Г597,0
Язык
Русский
Ключевые слова
плазмохимические пленки оксида кремния и нитрида кремния, бесформовочные мемристоры, транспорт заряда в мемристоре

Другие документы из источника "Российская государственная библиотека (РГБ)" — Авторефераты диссертаций

Айляров М.А.
ул.Ватутина, 2026
Российская государственная библиотека (РГБ)
Доступ: свободный
Гришина А.В.
Москва, 2026
Российская государственная библиотека (РГБ)
Доступ: свободный
Посмотреть все документы источника "Российская государственная библиотека (РГБ)"

MARC-запись (MARC21)

LDR
03210nam a22003977 4500
001
011729289
003
RuMoRGB
005
20230818145938.0
008
230414s2023 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: АР-П-23-002972
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
044
##
$a: ru
072
#1
$a: 1.3.11.
$2: nsnr2021
084
##
$a: З973.2-045.9-03,0
$2: rubbk
084
##
$a: В379.271-6,03
$2: rubbk
084
##
$a: Г597,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Гисматулин, Андрей Андреевич
245
##
$a: Транспорт заряда в бесформовочных мемристорах на основе оксида и нитрида кремния :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11.
$c: Гисматулин Андрей Андреевич; [Место защиты: ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; Диссовет 24.1.134.01 (Д 003.037.01)]
260
##
$a: Новосибирск
$c: 2023
300
##
$a: 21 с.
$b: ил.
541
1#
$b: https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert/100073565
$c: D11-20345
$d: 20230414
$e: 2023.06.20
650
#1
$a: Физика полупроводников
$2: nsnr2021
650
#1
$a: Вычислительная техника -- Вычислительные машины электронные цифровые -- Запоминающие устройства -- Материалы
$2: rubbk
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Электрические и магнитные свойства полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Тонкие слои
$2: rubbk
650
#1
$a: Химические науки -- Физическая химия. Химическая физика -- Химия термической и нетермической активации -- Плазмохимия
$2: rubbk
653
##
$a: плазмохимические пленки оксида кремния и нитрида кремния
653
##
$a: бесформовочные мемристоры
653
##
$a: транспорт заряда в мемристоре
720
1#
$a: ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; Диссовет 24.1.134.01 (Д 003.037.01)
787
11
$w: 011862193
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL02
$j: 9 23-1/220
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01011000000/rsl01011729000/rsl01011729289/rsl01011729289.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Транспорт заряда в бесформовочных мемристорах на основе оксида и нитрида кремния : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 1.3.11. » , автор — Гисматулин А.А.. Документ был опубликован в 2023 году. Место издания — Новосибирск. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Транспорт заряда в бесформовочных мемристорах на основе оксида и нитрида кремния : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 1.3.11. » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .