Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11.
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11.
Томск, 2024
Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое
автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11.
Томск, 2024
Библиографическое описание
Скопировать
Диб Хазем. Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11. / Диб Хазем; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский государственный университет» ; Диссовет НИ ТГУ.1.3.01]. — Томск, 2024. — 26 с. : ил..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_012893296
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 1.3.11.
Место издания
Томск
Год издания
2024
Объем
26 с.
Ответственность
Диб Хазем; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский государственный университет» ; Диссовет НИ ТГУ.1.3.01]
Регистрационный номер
АР-П-24-003948
ББК
В379.271.4,03, З854.2-01,0
Язык
Русский
Еще
Ключевые слова
фотодетекторы, фотодиоды лавинные
Библиотека
LDR
02708nam a22003737 4500
001
012893296
003
RuMoRGB
005
20241211113237.0
008
240527s2024 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: АР-П-24-003948
$b: RuMoRGB
$a: АР-П-24-003948
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$e: rcr
$a: RuMoRGB
$b: rus
$e: rcr
041
##
$a: rus
$a: rus
044
##
$a: ru
$a: ru
072
#1
$a: 1.3.11.
$2: nsnr2021
$a: 1.3.11.
$2: nsnr2021
084
##
$a: В379.271.4,03
$2: rubbk
$a: В379.271.4,03
$2: rubbk
084
##
$a: З854.2-01,0
$2: rubbk
$a: З854.2-01,0
$2: rubbk
100
##
$a: Диб Хазем
$a: Диб Хазем
245
##
$a: Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11.
$c: Диб Хазем; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский государственный университет» ; Диссовет НИ ТГУ.1.3.01]
$a: Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11.
$c: Диб Хазем; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский государственный университет» ; Диссовет НИ ТГУ.1.3.01]
260
##
$a: Томск
$c: 2024
$a: Томск
$c: 2024
300
##
$a: 26 с.
$b: ил.
$a: 26 с.
$b: ил.
541
1#
$b: https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert_independent/92872344002
$c: D11-31591
$d: 20240525
$e: 2024.09.12
$b: https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert_independent/92872344002
$c: D11-31591
$d: 20240525
$e: 2024.09.12
541
1#
$c: OEK
$d: 20240530
$c: OEK
$d: 20240530
650
#1
$a: Физика полупроводников
$2: nsnr2021
$a: Физика полупроводников
$2: nsnr2021
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Фотоэлектрические явления
$2: rubbk
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Фотоэлектрические явления
$2: rubbk
650
#1
$a: Техника. Технические науки -- Энергетика. Радиоэлектроника -- Радиоэлектроника -- Электроника -- Фотоэлектрические приборы. Фотоэлементы -- Полупроводниковые фотоэлектрические приборы -- Теория. Исследование
$2: rubbk
$a: Техника. Технические науки -- Энергетика. Радиоэлектроника -- Радиоэлектроника -- Электроника -- Фотоэлектрические приборы. Фотоэлементы -- Полупроводниковые фотоэлектрические приборы -- Теория. Исследование
$2: rubbk
653
##
$a: фотодиоды лавинные
$a: фотодиоды лавинные
653
##
$a: фотодетекторы
$a: фотодетекторы
720
1#
$a: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский государственный университет» ; Диссовет НИ ТГУ.1.3.01
$a: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский государственный университет» ; Диссовет НИ ТГУ.1.3.01
787
11
$w: 013136480
$i: Диссертация
$w: 013136480
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL02
$j: 9 24-1/315
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL02
$j: 9 24-1/315
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01012000000/rsl01012893000/rsl01012893296/rsl01012893296.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01012000000/rsl01012893000/rsl01012893296/rsl01012893296.pdf
$y: Читать
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 1.3.11. » , автор — Диб Х.. Документ был опубликован в 2024 году. Место издания — Томск. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое : автореферат дис. кандидата физико-математических наук : 1.3.11. » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.