Версия для слепых
Субмиллиметровая фотопроводимость в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук специальность 05.27.01 <Твердотел. электроника, радиоэлектрон. компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>
Субмиллиметровая фотопроводимость в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук специальность 05.27.01 <Твердотел. электроника, радиоэлектрон. компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>

Субмиллиметровая фотопроводимость в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук специальность 05.27.01 <Твердотел. электроника, радиоэлектрон. компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>

В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Нижний Новгород
Место издания
Год издания

Описание документа

Код документа в НЭБ
000200_000018_RU_NLR_bibl_1058518
Автор
Ерофеева Ирина Викторовна
Заглавие
Субмиллиметровая фотопроводимость в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук специальность 05.27.01 <Твердотел. электроника, радиоэлектрон. компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>
Место издания
Нижний Новгород
Год издания
2006
Объем
18 с.
УДК
537.311.322
Язык
Русский

MARC-запись (RUSMARC)

010
##
$9: 100
020
##
$a: RU
$b: 06-16347
$9: Летопись авторефератов диссертаций
021
##
$a: RU
$b: 2006-11603а
$9: 465а
100
##
$a: 20061214d2006 u u0rusy0150 ca
101
##
$a: rus
102
##
$a: RU
105
##
$a: y dm |||||
200
1#
$a: Субмиллиметровая фотопроводимость в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах
$e: автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$e: специальность 05.27.01 <Твердотел. электроника, радиоэлектрон. компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>
$f: Ерофеева Ирина Викторовна
$g: [Ин-т физики микроструктур РАН]
210
##
$a: Нижний Новгород
$d: 2006
215
##
$a: 18 с.
$d: 21
320
##
$a: Библиогр.: с. 12-18 (65 назв.)
675
##
$a: 537.311.322
$v: 3
$z: rus
686
##
$a: 29.19
$2: rugasnti
686
##
$a: 22.33
$2: rubbk
686
##
$a: 05.27.01
$2: oksvnk
700
#1
$a: Ерофеева
$b: И. В.
$c: канд. физ.-мат. наук
$g: Ирина Викторовна
$3: RU\NLR\auth\7778699
$4: 070
801
##
$a: RU
$b: RKP
$c: 20061214
$g: PSBO
801
#1
$a: RU
$b: RKP
$c: 20061214
801
#1
$a: RU
$b: NLR
$c: 20070314
$g: rcr
856
##
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000170206/view
856
#1
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000170206/cover
856
#1
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000170206/text
901
1#
$a: Авторефераты
$b: 05.00.00 Технические науки
$b: 05.27.00 Электроника
$b: 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
901
##
$a: bd000170206
$b: Текст. Автореферат диcсертации
$e: Авторефераты
$d: 20100427190800
$x: ARD11
983
##
$a: М.Е.
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .