Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
1# $a: Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем $e: автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e: специальность 01.04.10 <Физика полупроводников> $f: Афанасьев Александр Михайлович $g: [Ульян. гос. ун-т]
210
## $a: Ульяновск $d: 2009
215
## $a: 22 с. $c: ил. $d: 21
320
## $a: Библиогр.: с. 22 (6 назв.)
325
## $a: Копия доступна в Электрон. б-ке РНБ
675
## $a: 537 $v: 3 $z: rus
686
## $a: 29.19 $2: rugasnti
686
## $a: 22.33 $2: rubbk
686
## $a: 01.04.10 $2: oksvnk
700
#1 $a: Афанасьев $b: А. М. $g: Александр Михайлович $4: 070