Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук специальность 05.27.01 <Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук специальность 05.27.01 <Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук специальность 05.27.01 <Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>
1# $a: Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN $e: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук $e: специальность 05.27.01 <Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах> $f: Сергеев Сергей Алексеевич $g: [Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского]
210
## $a: Саратов $d: 2010
215
## $a: 18, [1] с. $c: ил. $d: 21
320
## $a: Библиогр.: с. 17-19 (38 назв.) и в подстроч. примеч.
675
## $a: 621.38 $v: 3 $z: rus
686
## $a: 47 $2: rugasnti
686
## $a: 32.85 $2: rubbk
686
## $a: 05.27.01 $2: oksvnk
700
#1 $a: Сергеев $b: С. А. $g: Сергей Алексеевич $4: 070