1# $a: Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs $e: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. $e: Спец. 01.04.10 $f: Самойлов Виктор Александрович $g: [Ин-т физики полупроводников СО РАН]
210
## $a: Новосибирск $d: 2000
215
## $a: 18 с. $c: ил. $d: 20
320
## $a: Библиогр.: с. 18 (6 назв.)
675
## $a: УДК 537.311.322:543.42 $v: 3 $z: rus
686
## $a: 01.04.10 $2: oksvnk
700
#1 $a: Самойлов $b: В. А. $g: Виктор Александрович
801
## $a: RU $b: RKP $c: 20011123 $g: PSBO
801
#1 $a: RU $b: RKP $c: 20011123
801
#1 $a: RU $b: NLR $c: 20020513 $g: rcr
852
## $a: NLR $j: А2000/7767
856
## $u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000131833/view
856
#1 $u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000131833/cover
856
#1 $u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000131833/text
901
1# $a: Авторефераты $b: 01.00.00 Физико-математические науки $b: 01.04.00 Физика $b: 01.04.10 Физика полупроводников