Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. Спец. 01.04.07
Санкт-Петербург, 2001
Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. Спец. 01.04.07
Санкт-Петербург, 2001
Библиографическое описание
Скопировать
Смирнов А. Н. (канд. физ.-мат. наук) Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н., Спец. 01.04.07 / Смирнов А.Н.; Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. — СПб. 2001. — 24 с. ил.; 20.
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000200_000018_RU_NLR_bibl_316203
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. Спец. 01.04.07
Место издания
Санкт-Петербург
Год издания
2001
Объем
24 с.
Ответственность
УДК
537.3/1.322
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
01985nam0 2200409 450
001
RU\NLR\bibl\316203
005
20060420172318.0
010
##
$9: 100
$9: 100
020
##
$a: RU
$b: 01-16192
$9: Летопись авторефератов диссертаций
$a: RU
$b: 01-16192
$9: Летопись авторефератов диссертаций
021
##
$a: RU
$b: 2001-8640а
$9: 346а
$a: RU
$b: 2001-8640а
$9: 346а
021
##
$a: RU
$b: 2001-8654а
$9: 347а
$a: RU
$b: 2001-8654а
$9: 347а
100
##
$a: 20021008d2001 u u0rusy0150 ca
$a: 20021008d2001 u u0rusy0150 ca
101
##
$a: rus
$a: rus
102
##
$a: RU
$a: RU
105
##
$a: a dm |||||
$a: a dm |||||
135
##
$a: crgn 008aaaba
$a: crgn 008aaaba
200
1#
$a: Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света
$e: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н.
$e: Спец. 01.04.07
$f: Смирнов А.Н.
$g: Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
$a: Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света
$e: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н.
$e: Спец. 01.04.07
$f: Смирнов А.Н.
$g: Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
210
##
$a: СПб.
$d: 2001
$a: СПб.
$d: 2001
215
##
$a: 24 с.
$c: ил.
$d: 20
$a: 24 с.
$c: ил.
$d: 20
320
##
$a: Библиогр.: с. 23-24
$a: Библиогр.: с. 23-24
325
##
$a: Копия доступна в Электрон. б-ке РНБ
$a: Копия доступна в Электрон. б-ке РНБ
610
##
$a: Физико-математические науки
$a: Физико-математические науки
675
##
$a: 537.3/1.322
$v: 3
$z: rus
$a: 537.3/1.322
$v: 3
$z: rus
686
##
$a: 29.19
$2: rugasnti
$a: 29.19
$2: rugasnti
686
##
$a: 22.33
$2: rubbk
$a: 22.33
$2: rubbk
686
##
$a: 01.04.07
$2: oksvnk
$a: 01.04.07
$2: oksvnk
700
#1
$a: Смирнов
$b: А. Н.
$c: канд. физ.-мат. наук
$g: Александр Николаевич
$3: RU\NLR\auth\7737303
$4: 070
$a: Смирнов
$b: А. Н.
$c: канд. физ.-мат. наук
$g: Александр Николаевич
$3: RU\NLR\auth\7737303
$4: 070
801
##
$a: RU
$b: RKP
$c: 20021008
$g: PSBO
$a: RU
$b: RKP
$c: 20021008
$g: PSBO
801
#1
$a: RU
$b: RKP
$c: 20021008
$a: RU
$b: RKP
$c: 20021008
801
#1
$a: RU
$b: NLR
$c: 20060420
$g: rcr
$a: RU
$b: NLR
$c: 20060420
$g: rcr
852
##
$a: NLR
$j: 2001-А/8640
$a: NLR
$j: 2001-А/8640
856
##
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000069363/view
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000069363/view
856
#1
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000069363/cover
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000069363/cover
856
#1
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000069363/text
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000069363/text
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. Спец. 01.04.07 » , автор — Смирнов А.Н.. Документ был опубликован в 2001 году. Место издания — Санкт-Петербург. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская национальная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 191069, Россия, Санкт-Петербург, ул. Садовая, д. 18. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. Спец. 01.04.07 » в удобной системе просмотра документов.