Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. Спец. 01.04.10
Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. Спец. 01.04.10
Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. Спец. 01.04.10
Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
1# $a: Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии $e: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. $e: Спец. 01.04.10 $f: Сорокин Сергей Валерьевич $g: [Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе]
210
## $a: СПб. $d: 2001
215
## $a: 23 с. $d: 20
320
## $a: Библиогр.: с. 21-23 (22 назв.)
325
## $a: Копия доступна в Электрон. б-ке РНБ
686
## $a: 01.04.10 $2: oksvnk
700
#1 $a: Сорокин $b: С. В. $g: Сергей Валерьевич $4: 070