Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. спец. 01.04.07
Москва, 2005
Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. спец. 01.04.07
Москва, 2005
Библиографическое описание
Скопировать
Артемов В. В. Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н., спец. 01.04.07 / Артемов Владимир Викторович; [Ин-т кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН]. — Москва 2005. — 18 с. ил.; 21.
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000200_000018_RU_NLR_bibl_867335
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. спец. 01.04.07
Место издания
Москва
Год издания
2005
Объем
18 с.
Ответственность
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
01587nam0 2200289 i 450
001
RU\NLR\bibl\867335
005
20060206162527.0
100
##
$a: 20051107d2005 |||y0rusy0150 ca
$a: 20051107d2005 |||y0rusy0150 ca
101
##
$a: rus
$a: rus
102
##
$a: RU
$a: RU
105
##
$a: a dm |||||
$a: a dm |||||
135
##
$a: crgn 008aaaba
$a: crgn 008aaaba
200
1#
$a: Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений
$e: автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н.
$e: спец. 01.04.07
$f: Артемов Владимир Викторович
$g: [Ин-т кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН]
$a: Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений
$e: автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н.
$e: спец. 01.04.07
$f: Артемов Владимир Викторович
$g: [Ин-т кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН]
210
##
$a: Москва
$d: 2005
$a: Москва
$d: 2005
215
##
$a: 18 с.
$c: ил.
$d: 21
$a: 18 с.
$c: ил.
$d: 21
320
##
$a: Библиогр.: с. 17-18 (10 назв.)
$a: Библиогр.: с. 17-18 (10 назв.)
325
##
$a: Копия доступна в Электрон. б-ке РНБ
$a: Копия доступна в Электрон. б-ке РНБ
686
##
$a: 01.04.07
$2: oksvnk
$a: 01.04.07
$2: oksvnk
700
#1
$a: Артемов
$b: В. В.
$g: Владимир Викторович
$4: 070
$a: Артемов
$b: В. В.
$g: Владимир Викторович
$4: 070
801
##
$a: RU
$b: NLR
$c: 20051107
$g: rcr
$a: RU
$b: NLR
$c: 20051107
$g: rcr
801
#1
$a: RU
$b: NLR
$c: 20051107
$a: RU
$b: NLR
$c: 20051107
856
##
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000015045/view
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000015045/view
856
#1
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000015045/cover
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000015045/cover
856
#1
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000015045/text
$u: https://vivaldi.nlr.ru/bd000015045/text
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. спец. 01.04.07 » , автор — Артемов Владимир Викторович. Документ был опубликован в 2005 году. Место издания — Москва. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская национальная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 191069, Россия, Санкт-Петербург, ул. Садовая, д. 18. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. спец. 01.04.07 » в удобной системе просмотра документов.