СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников. Цель изобретения повысить чувствительность способа. Согласно изобретению исследуемый восокоомный полупроводник освещают интерференционной картиной, сформированной опорным и фазомодулированным сигнальным пучками света.
Причем фазовую модуляцию осуществляют на двух частотах f и f 1 а величину частоты f1 выбирают из условия где τdi время, диэлектрической релаксации освещенного образца, τ время жизни фотоиндуцированных носителей тока, что обеспечивает большое значение регистрируемого на частоте f выходного сигнала к шуму. Величину фотопроводимости рассчитывают по характерной частоте "среза" зависимости выходного сигнала от частоты и диффузионной длине переноса фотоиндуцированных носителей тока, определяемой из зависимости амплитуды выходного сигнала от пространственной частоты интерференционной картины. 3 ил.
Описание документа
Портал НЭБ предлагает вам прочитать онлайн или скачать патент «СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ», заявителя Петров М.П., Степанов С.И., Трофимов Г.С., Соколов И.А. Содержит 5 ст. Язык: «Русский».
Выражаем благодарность библиотеке «Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ» за предоставленный материал.