Использование в электронной промышленности при изготовлении полупроводниковых подложек. Сущность изобретения: после отрезания от слитка первой пластины с нее механическим и химическим полированием с обеих сторон удаляют нарушенный слой.
На стороне, образованной при втором резе, путем царапания вдоль найденных кристаллографических направлений определяют направление с максимальной твердостью. Вдоль этого направления затем осуществляют поперечную подачу слитка на диск. При определении твердости царапание проводят со скоростью, равной скорости поперечной подачи слитка на диск. 1 з.п. ф-лы, 3 табл.
Портал НЭБ предлагает вам прочитать онлайн или скачать патент «СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛИТКОВ НА ПЛАСТИНЫ», заявителя Перевощиков В.А., Скупов В.Д., Скупова Т.Н. , патентообладателя «Научно-исследовательский институт измерительных систем ». Содержит 6 ст. Язык: «Русский».
Выражаем благодарность библиотеке «Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ» за предоставленный материал.