СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА КРЕМНИИ
Использование: изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления термостабильных слабопроникающих контактов кремниевых интегральных микросхем. Сущность изобретения заключается в том, что на кремниевую подложку, маскированную диэлектриком со вскрытыми в нем контактными окнами к активным областям, наносятся пленка сплава, содержащего 20 - 50 ат.
% Со и 80 - 50 ат.% Ti. Нанесение пленки проводят методом ионно-плазменного распыления в смеси инертного газа и N2 при содержании N 2 8 - 20 ат. % . Затем проводят отжиг подложки с нанесенной на нее пленкой сплава при температуре 750 - 900°С в течение 20 - 30 мин. 3 ил., 1 табл.
Описание документа
Портал НЭБ предлагает вам прочитать онлайн или скачать патент «СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА КРЕМНИИ», заявителя Громов Д.Г., Мочалов А.И., Пугачевич В.П., Хрусталев В.А., Азаров А.А. , патентообладателя «Московский институт электронной техники ». Содержит 9 ст. Язык: «Русский».
Выражаем благодарность библиотеке «Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ» за предоставленный материал.