МОДУЛЯТОР ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Изобретение относится к оптоэлектронике. Модулятор содержит рабочий оптический элемент, выполненный из расположенных на подложке n-слоев (n≥2) манганита, обладающего эффектом магнитопропускания, А1-хВхMnO3, в котором трехвалентный редкоземельный металл А частично замещен одно- или двухвалентным металлом В со степенью замещения х.
Материал каждого слоя имеет свое значение температуры Кюри и разница между максимальным и минимальным ее значением соответствует температурному диапазону работы модулятора. Между двумя соседними слоями расположен переходный нанослой с температурой Кюри, промежуточной между температурами Кюри слоев, и величиной магнитопропускания, близкой к значению магнитопропускания слоев. Состав и толщина переходного нанослоя определяется процессом эпитаксии. Технический результат - расширение температурного диапазона работы модулятора без устройства термостабилизации и без источника питания устройства термостабилизации. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.
Описание документа
Портал НЭБ предлагает вам прочитать онлайн или скачать патент «МОДУЛЯТОР ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ», заявителя Сухоруков Юрий Петрович (RU), Гижевский Борис Александрович (RU), Лошкарёва Наталья Николаевна (RU), Горбенко Олег Юрьевич (RU), Кауль Андрей Рафаилович (RU), Телегин Андрей Владимирович (RU). , патентообладателя «Институт физики металлов УрО РАН (RU) ». Содержит 8 ст. Язык: «Русский».
Выражаем благодарность библиотеке «Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ» за предоставленный материал.