Версия для слепых
Твердотельный конденсатор-ионистор с диэлектрическим слоем, выполненным из нанопорошка диэлектрика
RU  2729880  C1
Твердотельный конденсатор-ионистор с диэлектрическим слоем, выполненным из нанопорошка диэлектрика
Патент на изобретение
RU  2729880  C1

Твердотельный конденсатор-ионистор с диэлектрическим слоем, выполненным из нанопорошка диэлектрика

Патент на изобретение

Твердотельный конденсатор с диэлектрическим слоем, выполненным из нанопорошка диэлектрика, относится к области твердотельной нано- и микроэлектроники, в частности, суперконденсаторам или ионисторам. Твердотельный конденсатор-ионистор содержит два электрода из пористого углерода и размещенный между ними слой диэлектрического материала из многокомпонентного оксида в виде компакта.

Компакт получают обработкой одноосным давлением 40 МПа, а затем гидростатическим давлением 50 МПа из монодисперсного нанопорошка с размером частиц 7,5-96 нм. Устранение негативного влияния токов утечки на предельные температурные и емкостные характеристики твердотельного ионистора является техническим результатом изобретения. Кроме того, повышена способность устройства к масштабируемости в субмикроскопический размерный диапазон. 3 табл., 2 пр., 2 ил.

Читать реферат полностью Скрыть реферат

Детальная информация

Код документа в НЭБ
000224_000128_0002729880_20200813_C1_RU
Патентообладатель(и)
Объединенный институт ядерных исследований (ОИЯИ) (RU)
МПК
H01G 4/10, B82Y 30/00
Вид документа
Патент на изобретение
Название
Твердотельный конденсатор-ионистор с диэлектрическим слоем, выполненным из нанопорошка диэлектрика
Страна
РОССИЯ
Дата публикации
2020-08-13
Ответственность

Другие документы из источника "Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ" — Патентные документы

Улитко Мария Валерьевна (RU), Коротаев Владислав Юрьевич (RU), Зимницкий Николай Сергеевич (RU), Сосновских Вячеслав Яковлевич (RU)
РОССИЯ, 2026
Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ
Доступ: свободный
БУНГАРД, Кристофер Джеймс (US), БЕРГИ, Кристофер, С. (US), ВАНХЕЙСТ, Майкл, Д. (US), ЛЕЙТОН, Марк, Э. (US), ВУ, Чжэ (US), СТАЧЕЛ, Шон, Дж. (US), ГУАДИН, Деодиал Гай (US), ЛЮ, Хун (US), ШУБЕРТ, Джеффри, У. (US), ЛЮ, Цзянь (US), ОЛСЕН, Джеймс, Т. (US), БЕЛЛ, Айан, М. (US), АРАСАППАН, Ашок (US), КЕЛЛИ, Майкл, Дж. III (US), КОКС, Джейсон, М. (US), ПЕРКИНС, Джеймс, Дж. (US), ШАХ, Акшай, А. (US)
РОССИЯ, 2026
Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ
Доступ: свободный
КРИСТЕНСЕН, Майкл, Кронквист (DK), ФЛОРЕА, Иоана (DK), ФОРРЕЙ, Карлос (DK)
РОССИЯ, 2026
Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ
Доступ: свободный
МУРАТОРЕ Майкл Эрик (BE), РИЧЧИОЛИ Риккардо (BE), ПЕРЕС БЕНИТО Лаура (BE), ПРИЕРИ Марион Лоуренс Кристиана (BE), МАММОЛИТИ Оскар (BE), КАНЬЕЛЬЯС РОМАН Сантьяго (ES), ДЖЕРХАУИ Суфьян (BE), ОЛЬРИХ Даниэль (BE)
РОССИЯ, 2026
Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ
Доступ: свободный
Посмотреть все документы источника "Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ"
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Твердотельный конденсатор-ионистор с диэлектрическим слоем, выполненным из нанопорошка диэлектрика » , автор — Дорошкевич Неля Викторовна (UA). Документ был опубликован в 2020 году. Место издания — РОССИЯ. Документ размещен в каталоге НЭБ 2020-08-13 поступления в рубрике: Патент на изобретение. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ". Фонд библиотеки расположен по адресу: 125993, Бережковская набережная, ул. 24, к.1. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Твердотельный конденсатор-ионистор с диэлектрическим слоем, выполненным из нанопорошка диэлектрика » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .