Способ получения активного слоя элемента энергонезависимой резистивной памяти

При этом осаждают на подложку слой диэлектрика на основе кремния с нестехиометрическим составом SiOxNy с 0≤х<2, 0≤у<4/3, причем если х=0, то у>0, а если у=0, то х>0. Для осаждения используют режимы, в совокупности обеспечивающие получение состава, характеризующегося ближним порядком в расположении атомов, описываемым моделью неупорядоченной случайной сетки, с реализацией управления содержанием вакансий кислорода и/или азота и оборванных связей кремния с получением в совокупности их содержания, являющегося обуславливающим бесформовочное существование филаментов активного слоя, находящегося исходно в рабочем, открытом, состоянии. Технический результат выражается: в достижении окна гистерезиса, получении обратимого резистивного переключения без осуществления процесса электрической формовки; в уменьшении тока в высокоомном состоянии и, соответственно, в увеличении отношения сопротивлений в низкоомном и высокоомном состоянии, а также в снижении энергопотребления; в улучшении стабильности режимов переключения элемента энергонезависимой резистивной памяти между двумя устойчивыми состояниями, соответствующими низкоомному и высокоомному сопротивлениям активного слоя. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.