Использование: изготовление подложек из монокристаллического кремния для создания на них дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем в микроэлектронике. Цель: снижение концентрации дефектов и примесей вблизи рабочей стороны подложек кремния.
Сущность изобретения: при изготовлении подложек монокристаллического кремния по известной технологии, включающей резку слитка на пластины, химическое травление и химико-механическое полирование, на рабочей стороне пластин путем анодной обработки в растворе фтористоводородной кислоты формируют слой пористого кремния, толщиной в 2-5 раз превышающей глубину нарушенного слоя от химико-механического полирования, а последующее химико-динамическое полирование проводят в растворе гидроксида калия или натрия на глубину, в 1,5 - 2 раза большую толщины слоя пористого кремния. Положительный эффект: снижение плотности дефектов и примесей в приповерхностных слоях подложек кремния и повышение их процента выхода годных.
Портал НЭБ предлагает вам прочитать онлайн или скачать патент «СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ», заявителя Перевощиков В.А., Скупов В.Д., Шенгуров В.Г. Язык: «Русский».
Выражаем благодарность библиотеке «Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ» за предоставленный материал.